GJM1555C1H2R1CB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高性能功率晶體�。該器件專為高頻開關應用而設�,具有極低的導通電阻和快速的開關速度。它廣泛應用于電源管�、DC-DC轉換�、無線充電以及各類高效能電力電子系統(tǒng)中�
這款芯片采用了先進的封裝工藝,確保了卓越的熱性能和電氣穩(wěn)定�。其內部結構�(jīng)過優(yōu)化,能夠在高頻率下保持高效的能量轉換�
型號:GJM1555C1H2R1CB01D
類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
導通電阻(Rds(on)):1.3 mΩ(典型值,@ Vgs=6V�
擊穿電壓(BVDSS):600 V
連續(xù)漏極電流(Id):100 A
柵極電荷(Qg):70 nC
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
1. 極低的導通電�,可顯著降低導通損�,提升整體效率�
2. 快速的開關速度和較低的柵極電荷,適合高頻開關應用�
3. 高擊穿電壓支持更高的輸入電壓,增強了系統(tǒng)的安全性和可靠��
4. 熱性能�(yōu)異,能夠承受高溫�(huán)境下的長時間運行�
5. 小巧的封裝尺�,有助于節(jié)省電路板空間,便于設計布局�
6. 兼容標準硅MOSFET驅動�,簡化了設計過程并降低了開發(fā)難度�
1. 高效DC-DC轉換�
2. 服務器和通信設備中的電源管理系統(tǒng)
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)
4. 電動車車載充電器和牽引逆變�
5. 工業(yè)電機驅動及控�
6. 無線充電�(fā)射端及接收端模塊
7. 激光雷達(LiDAR)和其他脈沖電源應用
GJM1555C1H2R2CB01D
GJM1555C1H2R3CB01D