国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GJM1555C1H2R1CB01D

GJM1555C1H2R1CB01D 發(fā)布時間 時間�2025/6/10 15:01:43 查看 閱讀�7

GJM1555C1H2R1CB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高性能功率晶體�。該器件專為高頻開關應用而設�,具有極低的導通電阻和快速的開關速度。它廣泛應用于電源管�、DC-DC轉換�、無線充電以及各類高效能電力電子系統(tǒng)中�
  這款芯片采用了先進的封裝工藝,確保了卓越的熱性能和電氣穩(wěn)定�。其內部結構�(jīng)過優(yōu)化,能夠在高頻率下保持高效的能量轉換�

參數(shù)

型號:GJM1555C1H2R1CB01D
  類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
  導通電阻(Rds(on)):1.3 mΩ(典型值,@ Vgs=6V�
  擊穿電壓(BVDSS):600 V
  連續(xù)漏極電流(Id):100 A
  柵極電荷(Qg):70 nC
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

1. 極低的導通電�,可顯著降低導通損�,提升整體效率�
  2. 快速的開關速度和較低的柵極電荷,適合高頻開關應用�
  3. 高擊穿電壓支持更高的輸入電壓,增強了系統(tǒng)的安全性和可靠��
  4. 熱性能�(yōu)異,能夠承受高溫�(huán)境下的長時間運行�
  5. 小巧的封裝尺�,有助于節(jié)省電路板空間,便于設計布局�
  6. 兼容標準硅MOSFET驅動�,簡化了設計過程并降低了開發(fā)難度�

應用

1. 高效DC-DC轉換�
  2. 服務器和通信設備中的電源管理系統(tǒng)
  3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)
  4. 電動車車載充電器和牽引逆變�
  5. 工業(yè)電機驅動及控�
  6. 無線充電�(fā)射端及接收端模塊
  7. 激光雷達(LiDAR)和其他脈沖電源應用

替代型號

GJM1555C1H2R2CB01D
  GJM1555C1H2R3CB01D

gjm1555c1h2r1cb01d推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gjm1555c1h2r1cb01d參數(shù)

  • 特色產品High Frequency - High Q Capacitors
  • 標準包裝10,000
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 電容2.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 容差±0.25pF
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應用RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W�1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"�0.55mm�
  • 引線間隔-
  • 特點� Q �,低損�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線�-