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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GJM1555C1H360JB01D

GJM1555C1H360JB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/10 10:56:23 查看 閱讀�7

GJM1555C1H360JB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度�
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,能夠適�(yīng)自動(dòng)化生�(chǎn)需�,并且具備良好的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�50nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)�(tài)7ns/�(guān)�(tài)22ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

GJM1555C1H360JB01D具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少傳�(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的性能輸出�
  5. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. 封裝兼容性強(qiáng),便于客戶�(jìn)行設(shè)�(jì)選型和產(chǎn)品升�(jí)�

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在電�(dòng)汽車或工�(yè)�(shè)備中使用的高效轉(zhuǎn)換模��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)等的控制與驅(qū)�(dòng)�
  4. 充電器和適配器設(shè)�(jì),提供快速充電功能的同時(shí)降低�(fā)��
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�

替代型號(hào)

GJM1555C1H360JB02D, IRF3710, FDP5580

gjm1555c1h360jb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gjm1555c1h360jb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �1.35000剪切帶(CT�10,000 : �0.20876卷帶(TR�
  • 系列GJM
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容36 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q 值,低損�
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微波,高頻
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-