GJM1555C1H360JB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度�
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,能夠適�(yīng)自動(dòng)化生�(chǎn)需�,并且具備良好的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�50nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)�(tài)7ns/�(guān)�(tài)22ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
GJM1555C1H360JB01D具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少傳�(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能�
4. 良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的性能輸出�
5. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. 封裝兼容性強(qiáng),便于客戶�(jìn)行設(shè)�(jì)選型和產(chǎn)品升�(jí)�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在電�(dòng)汽車或工�(yè)�(shè)備中使用的高效轉(zhuǎn)換模��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、直流無(wú)刷電�(jī)等的控制與驅(qū)�(dòng)�
4. 充電器和適配器設(shè)�(jì),提供快速充電功能的同時(shí)降低�(fā)��
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
GJM1555C1H360JB02D, IRF3710, FDP5580