型號：GJM1555C1H430GB01D
　　工藝：GaAs HEMT
　　工作頻率范圍：1710 MHz 至 2170 MHz
　　增益：28 dB 典型值
　　輸出功率（P1dB）：43 dBm 典型值
　　飽和輸出功率：46 dBm 典型值
　　電源電壓：5 V
　　靜態(tài)電流：1.5 A 典型值
　　封裝形式：陶瓷氣密封裝
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

GJM1555C1H430GB01D具備以下顯著特點：
　　1. 高輸出功率：在1710 MHz至2170 MHz的工作頻率范圍內，能夠提供高達43 dBm的輸出功率。
　　2. 高增益：典型增益為28 dB，確保信號的有效放大。
　　3. 高線性度：優(yōu)秀的ACLR（鄰道泄漏比）性能，滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)對信號質量的嚴格要求。
　　4. 低功耗設計：通過優(yōu)化的偏置電路和負載匹配網(wǎng)絡，提高了整體效率，降低了功耗。
　　5. 穩(wěn)定性強：芯片內部集成了保護電路，增強了器件在復雜環(huán)境下的可靠性。
　　6. 寬帶支持：覆蓋多個通信頻段，適合多模應用需求。
　　7. 小型化封裝：采用陶瓷氣密封裝，既保證了良好的散熱性能，又減少了安裝空間的需求。

該芯片廣泛應用于以下領域：
　　1. 無線通信基站：
　　GJM1555C1H430GB01D可作為基站發(fā)射鏈路中的核心功率放大器，用于提升信號覆蓋范圍和通信質量。
　　2. 中繼站：
　　在偏遠地區(qū)或信號盲區(qū)，該芯片可用于中繼站設備中，實現(xiàn)信號的高效轉發(fā)。
　　3. 專用無線通信設備：
　　如衛(wèi)星通信終端、微波傳輸設備等，利用其高功率和高線性度的優(yōu)勢，保障數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆�(wěn)定性和可靠性。
　　4. 測試測量儀器：
　　因其優(yōu)異的性能指標，也可用作測試設備中的信號源放大器，以生成高質量的測試信號。

GJM1555C1H430GA01D
　　GJM1555C1H430GB02D
　　GJM1555C1H430GC01D