GMC02CG330F25NT是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),廣泛�(yīng)用于高頻、高功率密度的電源管理場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和效�。其�(shè)�(jì)適用于各種高性能電源�(zhuǎn)換應(yīng)�,包括DC-DC�(zhuǎn)換器、快充適配器以及通信�(shè)備中的功率放大器等�
GMC02CG330F25NT在材料選擇上充分利用了氮化鎵的獨(dú)特優(yōu)�(shì),如高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)�(guān)能力。這使得它在高頻工作條件下依然能夠保持高效能表�(xiàn),同�(shí)減小系統(tǒng)體積并降低整體功��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�14A
柵極電荷�75nC
�(dǎo)通電阻:33mΩ
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)5MHz
封裝形式:TO-247-4L
工作溫度范圍�-40℃至+150�
GMC02CG330F25NT采用了增�(qiáng)型氮化鎵晶體管技�(shù),具有以下顯著特�(diǎn)�
1. 高效性能:得益于超低�(dǎo)通電阻(33mΩ),這款晶體管在�(yùn)行過(guò)程中�(chǎn)生的熱損耗極�,從而提高了系統(tǒng)的整體效��
2. 快速開(kāi)�(guān)能力:極低的柵極電荷�75nC)確保了更快的開(kāi)�(guān)速度,減少了�(kāi)�(guān)損�,并支持高達(dá)5MHz的工作頻率�
3. 緊湊�(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,GMC02CG330F25NT能夠在更小的PCB面積�(nèi)�(shí)�(xiàn)更高的功率密��
4. 可靠性強(qiáng):具備出色的耐壓能力和高溫穩(wěn)定�,適合多種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求�
5. 易于�(qū)�(dòng):優(yōu)化后的柵極驅(qū)�(dòng)條件�(jiǎn)化了外圍電路�(shè)�(jì),降低了�(kāi)�(fā)難度�
GMC02CG330F25NT主要�(yīng)用于需要高效率和高功率密度的場(chǎng)合:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如USB-PD快充頭、筆記本電腦適配器及電視電源�
2. 工業(yè)�(shè)備:如工�(yè)�(jí)�(kāi)�(guān)電源(SMPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和不間斷電源(UPS)�
3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:用于基站電源模塊和光�(wǎng)�(luò)單元(ONU)的功率�(zhuǎn)換部��
4. 汽車電子:支持車載充電器(OBC)和其他高壓�(zhuǎn)換電��
5. 能源管理:光伏逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中涉及的高頻DC-DC變換��
GMC02DG330F25NT, GMC02EG330F25NT