GMC04CG121G50NT 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率與�(wěn)定性�
這款功率 MOSFET 的封裝形式為 DPAK(TO-252�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)應(yīng)用,同時(shí)具備良好的電氣特性和可靠�,非常適合對(duì)效率和散熱有較高要求的場(chǎng)��
型號(hào):GMC04CG121G50NT
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(VDS):60V
最大柵源電壓(VGS):±20V
連續(xù)漏極電流(ID):38A
�(dǎo)通電阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型�,VGS=10V�(shí)�
總功耗(PD):72W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:DPAK(TO-252�
GMC04CG121G50NT 具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),可顯著降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用�
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持可靠的運(yùn)��
4. �(qiáng)大的浪涌電流承受能力,確保在瞬態(tài)條件下不�(huì)損壞�
5. 小型化封裝,適合高密� PCB �(shè)�(jì),同�(shí)支持自動(dòng)化生�(chǎn)�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
GMC04CG121G50NT 的這些特性使其成為工�(yè)控制、消�(fèi)電子和汽�(chē)電子�(lǐng)域中的理想選擇�
GMC04CG121G50NT 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開(kāi)�(guān)�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制,包括直流無(wú)刷電�(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)模塊�
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和 DC-DC �(zhuǎn)��
6. 其他需要高效功率控制和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景�
GMC04CG121G50NTR, IRFZ44N, FDP5500