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GMC04CG200F25NT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 9:51:45 查看 閱讀：11

GMC04CG200F25NT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術(shù)的 MOSFET 功率晶體管，專為高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于工業(yè)電源、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及電信電源等場(chǎng)景。
　　它采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，能夠有效降低寄生電感并提高散熱性能。此外，其出色的耐用性和可靠性使其成為嚴(yán)苛環(huán)境下的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：1200V
　　連續(xù)漏極電流：200A
　　導(dǎo)通電阻：1.3mΩ
　　柵極電荷：120nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：60ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝類型：TO-247-3

特性

GMC04CG200F25NT 的主要特性包括：
　　1. 超低導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可顯著減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高開關(guān)速度，支持高頻操作，從而減小無源元件尺寸，優(yōu)化整體設(shè)計(jì)體積。
　　3. 極低的柵極電荷和輸出電荷，確保高效能量轉(zhuǎn)換。
　　4. 碳化硅材料賦予其卓越的熱穩(wěn)定性和高溫工作能力。
　　5. 具備強(qiáng)固的雪崩能力和短路耐受時(shí)間，增強(qiáng)了器件在異常條件下的保護(hù)功能。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全可靠。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器控制。
　　2. 高效 DC-DC 和 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換器。
　　3. 太陽(yáng)能光伏逆變器的核心功率級(jí)組件。
　　4. 電動(dòng)車車載充電器和牽引逆變器。
　　5. 數(shù)據(jù)中心 UPS 不間斷電源及電信基礎(chǔ)設(shè)施中的大功率模塊。
　　6. 高壓電力傳輸與分配設(shè)備。

替代型號(hào)

GMC04DG200F25NT, GMC04BG200F25NT