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GMC04CG200F25NT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 9:51:45 查看 閱讀:11

GMC04CG200F25NT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技術(shù)的 MOSFET 功率晶體管,專為高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于工業(yè)電源、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以及電信電源等場(chǎng)景。
  它采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠有效降低寄生電感并提高散熱性能。此外,其出色的耐用性和可靠性使其成為嚴(yán)苛環(huán)境下的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流:200A
  導(dǎo)通電阻:1.3mΩ
  柵極電荷:120nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:60ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝類型:TO-247-3

特性

GMC04CG200F25NT 的主要特性包括:
  1. 超低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可顯著減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高開關(guān)速度,支持高頻操作,從而減小無源元件尺寸,優(yōu)化整體設(shè)計(jì)體積。
  3. 極低的柵極電荷和輸出電荷,確保高效能量轉(zhuǎn)換。
  4. 碳化硅材料賦予其卓越的熱穩(wěn)定性和高溫工作能力。
  5. 具備強(qiáng)固的雪崩能力和短路耐受時(shí)間,增強(qiáng)了器件在異常條件下的保護(hù)功能。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器控制。
  2. 高效 DC-DC 和 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換器。
  3. 太陽(yáng)能光伏逆變器的核心功率級(jí)組件。
  4. 電動(dòng)車車載充電器和牽引逆變器。
  5. 數(shù)據(jù)中心 UPS 不間斷電源及電信基礎(chǔ)設(shè)施中的大功率模塊。
  6. 高壓電力傳輸與分配設(shè)備。

替代型號(hào)

GMC04DG200F25NT, GMC04BG200F25NT