GMC04CG200K25NT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)。
這款器件屬于溝道型MOSFET,能夠承受較高的電壓,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型,便于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。
型號(hào):GMC04CG200K25NT
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):200V
連續(xù)漏極電流(Id):25A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):40mΩ
柵極電荷(Qg):80nC
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247
GMC04CG200K25NT的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:該器件可支持高達(dá)200V的漏源極電壓,適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,其導(dǎo)通電阻僅為40mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損耗,提高了效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能:由于其較低的柵極電荷(80nC),該器件可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān),適用于高頻電路。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):器件能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
5. 可靠性高:經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,確保在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的可靠性和耐用性。
6. 易于使用:標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝形式使其易于安裝和散熱設(shè)計(jì)。
GMC04CG200K25NT適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)關(guān)管,用于DC-DC轉(zhuǎn)換器或AC-DC適配器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或其他類(lèi)型的電機(jī),提供高效的動(dòng)力傳輸。
3. 工業(yè)設(shè)備:如逆變器、UPS系統(tǒng)等需要高壓大電流處理能力的場(chǎng)合。
4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):例如電池管理系統(tǒng)(BMS),用作充電/放電路徑上的開(kāi)關(guān)。
5. 其他電力電子領(lǐng)域:包括負(fù)載切換、繼電器替代以及固態(tài)繼電器等功能模塊。
GMC04CG200K25L, IRF250, STP25NF20