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GMC04CG200K25NT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/25 18:50:27 查看 閱讀：29

GMC04CG200K25NT是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠在高頻應(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)。
　　這款器件屬于溝道型MOSFET，能夠承受較高的電壓，并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)型，便于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。

參數(shù)

型號(hào)：GMC04CG200K25NT
　　類(lèi)型：N-Channel MOSFET
　　漏源極擊穿電壓(Vds)：200V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：25A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：40mΩ
　　柵極電荷(Qg)：80nC
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
　　封裝形式：TO-247

特性

GMC04CG200K25NT的主要特性包括：
　　1. 高耐壓能力：該器件可支持高達(dá)200V的漏源極電壓，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：在典型工作條件下，其導(dǎo)通電阻僅為40mΩ，從而降低了傳導(dǎo)損耗，提高了效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能：由于其較低的柵極電荷（80nC），該器件可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)，適用于高頻電路。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：器件能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
　　5. 可靠性高：經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，確保在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的可靠性和耐用性。
　　6. 易于使用：標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝形式使其易于安裝和散熱設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

GMC04CG200K25NT適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)：作為主開(kāi)關(guān)管，用于DC-DC轉(zhuǎn)換器或AC-DC適配器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于控制直流無(wú)刷電機(jī)或其他類(lèi)型的電機(jī)，提供高效的動(dòng)力傳輸。
　　3. 工業(yè)設(shè)備：如逆變器、UPS系統(tǒng)等需要高壓大電流處理能力的場(chǎng)合。
　　4. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)：例如電池管理系統(tǒng)(BMS)，用作充電/放電路徑上的開(kāi)關(guān)。
　　5. 其他電力電子領(lǐng)域：包括負(fù)載切換、繼電器替代以及固態(tài)繼電器等功能模塊。

替代型號(hào)

GMC04CG200K25L, IRF250, STP25NF20