GMC04CG331F25NT是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先進的制造工藝設計,具有低導通電阻和高開關速度的特�。該器件適用于高頻開關應用,如DC-DC轉換器、電機驅動器、電源管理模塊等。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,具備出色的散熱性能和可靠性�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:4mΩ
總柵極電荷:27nC
開關時間:ton=18ns, toff=22ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GMC04CG331F25NT具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電�,可顯著降低功率損耗�
2. 快速的開關速度,適合高頻應用�
3. 高額定電流能�,能夠處理大負載需��
4. 增強的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 緊湊型封�,易于集成到各種電路設計��
6. 提供�(yōu)異的電磁兼容性(EMC)表�(xiàn)�
7. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
該器件廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動化設�
6. 汽車電子系統(tǒng)
7. 可再生能源逆變�
GMC04CG331F25NT憑借其卓越的性能,在高效能電力轉換和驅動應用中表�(xiàn)出色�
GMC04CG331F20NT
GMC04CG331F30NT
IRF3205
FDP5500