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GMC04CG390F50NT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 9:33:37 查看 閱讀:7

GMC04CG390F50NT 是一款高性能的碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高電壓、大功率場景。該芯片采用先進(jìn)的碳化硅材料技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能耗。
  該芯片適用于新能源汽車、工業(yè)電源、光伏逆變器以及高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域。其優(yōu)異的熱性能和可靠性使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下長期穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

型號(hào):GMC04CG390F50NT
  類型:碳化硅 (SiC) MOSFET
  最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:39mΩ
  柵極電荷:120nC
  開關(guān)頻率:高達(dá)100kHz
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247-4L

特性

GMC04CG390F50NT 的主要特性包括:
  1. 高效的碳化硅材料:與傳統(tǒng)硅基器件相比,碳化硅提供了更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,提高了整體效率。
  2. 快速開關(guān)能力:由于其低柵極電荷設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗并支持更高的工作頻率。
  3. 高溫穩(wěn)定性:芯片能夠在高達(dá)175℃的結(jié)溫下正常工作,具備出色的高溫耐受性。
  4. 低導(dǎo)通電阻:39mΩ的低導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗,提升了系統(tǒng)的功率密度。
  5. 強(qiáng)大的過載能力:通過優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì),該器件可以承受瞬時(shí)過流沖擊而不損壞。
  6. 緊湊型封裝:TO-247-4L封裝結(jié)構(gòu)緊湊,便于集成到各類應(yīng)用中,同時(shí)提供良好的散熱性能。

應(yīng)用

GMC04CG390F50NT 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng):如電機(jī)控制器、車載充電器等。
  2. 工業(yè)電源:用于不間斷電源(UPS)、焊接設(shè)備及伺服驅(qū)動(dòng)器等。
  3. 光伏逆變器:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中作為核心功率轉(zhuǎn)換器件,提升轉(zhuǎn)換效率。
  4. 高頻開關(guān)電源:如數(shù)據(jù)中心供電模塊、通信基站電源等。
  5. 電動(dòng)汽車充電樁:為充電樁提供高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
  6. 風(fēng)力發(fā)電變流器:用于風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)和能量管理。

替代型號(hào)

GMC04CG390F50NTR,
  GMC04DG390F50NT,
  GMC04CG390F50NL