時間�2025/5/15 11:53:38
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GMC04CG820J100NT是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效率功率晶體管，主要應用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及射頻功率放大等領域。該器件采用了先進的GaN-on-Si技術，具有較低的導通電阻和極快的開關速度，能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小整體尺寸�
由于其卓越的性能表現(xiàn)，這款晶體管特別適合需要高效能和小型化的應用場�。同�，它還具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�，能夠在較高溫度下保持穩(wěn)定的性能�
型號：GMC04CG820J100NT
類型：增強型場效應晶體管（eGaN FET�
封裝形式：TO-263（DPAK�
額定電壓�650V
額定電流�100A
導通電阻：40mΩ（典型值）
柵極電荷�30nC（最大值）
反向恢復時間�10ns（典型值）
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 高開關頻率：由于GaN材料的獨特性質，GMC04CG820J100NT支持高達�(shù)MHz的開關頻率，遠超傳統(tǒng)硅基MOSFET�
2. 極低的導通電阻：該器件的導通電阻僅�40mΩ（典型值），從而降低了導通損�，提升了整體效率�
3. 減少寄生效應：GaN技術有效減少了寄生電感和電容的影響，使器件在高頻下的性能更為�(yōu)��
4. 熱穩(wěn)定性強：即使在高溫�(huán)境下，也能保持優(yōu)異的電氣特性和可靠��
5. 小型化設計：通過采用先進封裝工�，該器件實現(xiàn)了更緊湊的體�，非常適合空間受限的應用場景�
1. 開關電源（SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 無線充電模塊
4. 電動車輛（EV）驅動電�
5. 太陽能逆變�
6. 工業(yè)電機控制
7. 射頻功率放大�
8. �(shù)�(jù)中心電源管理
9. 快速充電適配器
GMC04CG820J120NT
GMC04CG820J80NT
IXYS GXT100N65S3
Infineon IPW100R040K6A1L
