型號(hào)：GMJ316BB7475MLHT
　　類型：增強(qiáng)型 GaN HEMT
　　最大漏源電壓：600 V
　　連續(xù)漏極電流：20 A
　　導(dǎo)通電阻：75 mΩ
　　柵極電荷：60 nC
　　反向恢復(fù)電荷：無(wú)（零反向恢復(fù)）
　　工作溫度范圍：-55 ℃ 至 +175 ℃
　　封裝形式：MLP8 封裝

1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，僅為 75 毫歐，能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，支持高達(dá)幾兆赫茲的工作頻率，從而減小無(wú)源元件尺寸，提高功率密度。
　　3. 零反向恢復(fù)電荷，消除了與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相關(guān)的反向恢復(fù)損耗問(wèn)題。
　　4. 高擊穿電壓（600V），確保在高壓環(huán)境下的可靠性。
　　5. 支持高溫操作，最高結(jié)溫可達(dá) 175℃，滿足工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用需求。
　　6. 良好的熱性能，得益于 MLP8 封裝設(shè)計(jì)，有助于散熱管理。

1. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，用于服務(wù)器、通信設(shè)備中的高效電源供應(yīng)。
　　2. 圖形處理器 (GPU) 和中央處理器 (CPU) 的多相供電模塊。
　　3. 射頻功率放大器，在無(wú)線通信基站中提供高效的 RF 輸出。
　　4. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電樁和車載充電器中的功率轉(zhuǎn)換電路。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高性能驅(qū)動(dòng)器和控制器。
　　6. 太陽(yáng)能逆變器中的高頻切換組件。

GMJ316BB7500MLHT, GMJ316BB7450MLHT