GMJ316BB7475MLHT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)型橫向場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)特�,適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及射頻功率放大器等場(chǎng)��
由于其出色的性能表現(xiàn),GMJ316BB7475MLHT 在高功率密度和高效能要求的應(yīng)用中得到了廣泛認(rèn)�。該芯片通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)�(jìn)一步提升了散熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):GMJ316BB7475MLHT
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電壓:600 V
連續(xù)漏極電流�20 A
�(dǎo)通電阻:75 mΩ
柵極電荷�60 nC
反向恢復(fù)電荷:無(wú)(零反向恢復(fù)�
工作溫度范圍�-55 � � +175 �
封裝形式:MLP8 封裝
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 75 毫歐,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá)幾兆赫茲的工作頻�,從而減小無(wú)源元件尺寸,提高功率密度�
3. 零反向恢�(fù)電荷,消除了與傳�(tǒng)� MOSFET 相關(guān)的反向恢�(fù)損耗問(wèn)��
4. 高擊穿電壓(600V),確保在高壓環(huán)境下的可靠��
5. 支持高溫操作,最高結(jié)溫可�(dá) 175℃,滿足工業(yè)及汽車級(jí)�(yīng)用需��
6. 良好的熱性能,得益于 MLP8 封裝�(shè)�(jì),有助于散熱管理�
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、通信�(shè)備中的高效電源供�(yīng)�
2. 圖形處理� (GPU) 和中央處理器 (CPU) 的多相供電模��
3. 射頻功率放大�,在�(wú)線通信基站中提供高效的 RF 輸出�
4. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電樁和車載充電器中的功率轉(zhuǎn)換電��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高性能�(qū)�(dòng)器和控制器�
6. 太陽(yáng)能逆變器中的高頻切換組��
GMJ316BB7500MLHT, GMJ316BB7450MLHT