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GN1158-INTE3Z 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 10:07:00 查看 閱讀�22

GN1158-INTE3Z是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)��
  這款MOSFET適用于需要快速開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、LED�(qū)�(dòng)器以及電池管理系�(tǒng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟10ns,關(guān)�20ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

GN1158-INTE3Z的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高電流處理能�,可支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,其典型開關(guān)�(shí)間為開啟10ns和關(guān)�20ns,適合高頻應(yīng)��
  4. 耐熱性優(yōu)�,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)�,從-55℃到+175��
  5. 具備出色的電氣特性和可靠性,可以承受多次浪涌電流沖擊而不損壞�
  6. 小型封裝�(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板上布局和安��

�(yīng)�

GN1158-INTE3Z非常適合用于多種功率電子�(lǐng)�,具體應(yīng)用如下:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為主功率器件控制電機(jī)的啟停與速度�(diào)節(jié)�
  3. 各類�(fù)載開�(guān)場合,如筆記本電腦、平板設(shè)備及手機(jī)充電器內(nèi)部的功率管理模塊�
  4. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)電路,確保燈光亮度穩(wěn)定且節(jié)能高��
  5. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系�(tǒng)(BMS),�(shí)�(xiàn)對動(dòng)力電池組充放電過程的安全�(jiān)控與保護(hù)�

替代型號

GN1158-E2, IRF3710, FDP5500

gn1158-inte3z推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

gn1158-inte3z參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 類型激光二極管�(qū)�(dòng)器(光纖�
  • �(shù)�(jù)速率11.3Gbps
  • 通道�(shù)-
  • 電壓 - 供電3.3V
  • 電流 - 供電-
  • 電流 - �(diào)�20mA
  • 電流 - 偏置15 mA
  • 工作溫度-
  • 封裝/外殼-
  • 供應(yīng)商器件封�28-QFN
  • 安裝類型表面貼裝�