GN1158-INTE3Z是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)��
這款MOSFET適用于需要快速開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變�、LED�(qū)�(dòng)器以及電池管理系�(tǒng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)�(shí)間:開啟10ns,關(guān)�20ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
GN1158-INTE3Z的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 高電流處理能�,可支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,其典型開關(guān)�(shí)間為開啟10ns和關(guān)�20ns,適合高頻應(yīng)��
4. 耐熱性優(yōu)�,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)�,從-55℃到+175��
5. 具備出色的電氣特性和可靠性,可以承受多次浪涌電流沖擊而不損壞�
6. 小型封裝�(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板上布局和安��
GN1158-INTE3Z非常適合用于多種功率電子�(lǐng)�,具體應(yīng)用如下:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為主功率器件控制電機(jī)的啟停與速度�(diào)節(jié)�
3. 各類�(fù)載開�(guān)場合,如筆記本電腦、平板設(shè)備及手機(jī)充電器內(nèi)部的功率管理模塊�
4. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)電路,確保燈光亮度穩(wěn)定且節(jié)能高��
5. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系�(tǒng)(BMS),�(shí)�(xiàn)對動(dòng)力電池組充放電過程的安全�(jiān)控與保護(hù)�
GN1158-E2, IRF3710, FDP5500