時(shí)間：2025/5/12 10:07:00
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GN1158-INTE3Z是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn)，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生。
這款MOSFET適用于需要快速開關(guān)和低功耗的應(yīng)用場景，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器、LED驅(qū)動(dòng)器以及電池管理系統(tǒng)等。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：30A
導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
柵極電荷：45nC
開關(guān)時(shí)間：開啟10ns，關(guān)斷20ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
GN1158-INTE3Z的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（2.5mΩ），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
2. 高電流處理能力，可支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開關(guān)性能，其典型開關(guān)時(shí)間為開啟10ns和關(guān)斷20ns，適合高頻應(yīng)用。
4. 耐熱性優(yōu)良，能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)行，從-55℃到+175℃。
5. 具備出色的電氣特性和可靠性，可以承受多次浪涌電流沖擊而不損壞。
6. 小型封裝設(shè)計(jì)，便于在緊湊型電路板上布局和安裝。
GN1158-INTE3Z非常適合用于多種功率電子領(lǐng)域，具體應(yīng)用如下：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率級開關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中作為主功率器件控制電機(jī)的啟停與速度調(diào)節(jié)。
3. 各類負(fù)載開關(guān)場合，如筆記本電腦、平板設(shè)備及手機(jī)充電器內(nèi)部的功率管理模塊。
4. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)電路，確保燈光亮度穩(wěn)定且節(jié)能高效。
5. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系統(tǒng)（BMS），實(shí)現(xiàn)對動(dòng)力電池組充放電過程的安全監(jiān)控與保護(hù)。
GN1158-E2, IRF3710, FDP5500
