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GN1A4M-D-T1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 12:31:25 查看 閱讀:33

GN1A4M-D-T1 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),通常用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  GN1A4M-D-T1 屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工藝,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和高密度設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:3.7A
  導(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷:9nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:典型值 15ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低導(dǎo)通電阻:GN1A4M-D-T1 的導(dǎo)通電阻僅為 40mΩ,可顯著降低導(dǎo)通損耗,從而提高整體效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)性能:由于其低柵極電荷和短開(kāi)關(guān)時(shí)間,該器件非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,能夠在高頻條件下保持高效運(yùn)行。
  3. 高可靠性:器件經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制流程,確保在各種惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
  4. 小型化封裝:TO-252 封裝使其適用于空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景,同時(shí)具備良好的散熱性能。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源:可用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):適合小型直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。
  3. 電池管理:用作電池保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)元件。
  4. 工業(yè)控制:適用于各種工業(yè)設(shè)備中的功率控制模塊。

替代型號(hào)

IRLZ44N, AO3400A

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