GN1A4M-D-T1 時(shí)間：2025/4/28 12:31:25 閱讀：33

GN1A4M-D-T1 是一款高性能的 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），通常用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　GN1A4M-D-T1 屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，其封裝形式為 TO-252 (DPAK)，適合表面貼裝工藝，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和高密度設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：3.7A
　　導(dǎo)通電阻：40mΩ
　　柵極電荷：9nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值 15ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低導(dǎo)通電阻：GN1A4M-D-T1 的導(dǎo)通電阻僅為 40mΩ，可顯著降低導(dǎo)通損耗，從而提高整體效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)性能：由于其低柵極電荷和短開(kāi)關(guān)時(shí)間，該器件非常適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，能夠在高頻條件下保持高效運(yùn)行。
　　3. 高可靠性：器件經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制流程，確保在各種惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
　　4. 小型化封裝：TO-252 封裝使其適用于空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景，同時(shí)具備良好的散熱性能。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源：可用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適合小型直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路。
　　3. 電池管理：用作電池保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)元件。
　　4. 工業(yè)控制：適用于各種工業(yè)設(shè)備中的功率控制模塊。