時(shí)間：2025/5/22 2:23:01
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GP50G是一種高頻功率晶體管，主要用于射頻和微波應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有高增益、低噪聲和良好的線性度等特性，適用于無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)以及其他需要高性能射頻放大的場景。
GP50G的封裝形式通常為金屬殼體或表面貼裝形式，以適應(yīng)不同的安裝需求和環(huán)境條件。其優(yōu)異的電氣性能使其成為許多專業(yè)射頻設(shè)備的理想選擇。
最大集電極電流：1.2A
最大集電極功耗：30W
最高工作頻率：5GHz
增益：20dB
噪聲系數(shù)：2dB
集電極-發(fā)射極擊穿電壓：80V
特征頻率(fT)：6GHz
GP50G具有以下顯著特性：
1. 高頻性能優(yōu)越，能夠在高達(dá)5GHz的工作頻率下穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 低噪聲系數(shù)（2dB），在射頻信號(hào)放大中可有效減少信號(hào)失真。
3. 高增益設(shè)計(jì)，典型增益達(dá)到20dB，確保信號(hào)強(qiáng)度的有效提升。
4. 具有較高的集電極功耗（30W），能夠支持大功率射頻應(yīng)用。
5. 穩(wěn)定性良好，即使在惡劣環(huán)境下也能保持可靠性能。
6. 封裝堅(jiān)固耐用，適合各種工業(yè)應(yīng)用場景。
GP50G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 射頻功率放大器設(shè)計(jì)，特別是在無線通信基站和衛(wèi)星通信設(shè)備中。
2. 雷達(dá)系統(tǒng)中的信號(hào)發(fā)射與接收模塊。
3. 測試測量設(shè)備，如網(wǎng)絡(luò)分析儀和頻譜分析儀。
4. 醫(yī)療成像設(shè)備中的射頻驅(qū)動(dòng)電路。
5. 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）頻段設(shè)備的功率放大模塊。
6. 業(yè)余無線電愛好者制作的高性能射頻發(fā)射機(jī)和接收機(jī)。
MOSFET-50G, RF50GHZ
