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時(shí)間：2025/5/30 21:57:44
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GQM1555C2D300GB01D 是一款高性能的功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），主要用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，適合于高效率和高頻率的工作環(huán)境。
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，其設(shè)計(jì)能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載，同時(shí)提供出色的熱性能和電氣性能。
型號(hào)：GQM1555C2D300GB01D
類型：N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓（Vds）：300V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：18A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.12Ω
柵極電荷（Qg）：45nC
輸入電容（Ciss）：2200pF
總功耗（Ptot）：150W
工作溫度范圍（Tj）：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
GQM1555C2D300GB01D 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠在高電流條件下減少功率損耗。
2. 快速的開關(guān)速度，使得其適用于高頻應(yīng)用，從而提升整體系統(tǒng)效率。
3. 高耐壓能力（300V），保證在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 具備良好的熱性能，能夠有效散熱以延長使用壽命。
5. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，便于集成到緊湊型電路中。
6. 可靠性高，能夠在惡劣的工業(yè)環(huán)境中保持穩(wěn)定表現(xiàn)。
這些特性使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇，如逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制等。
GQM1555C2D300GB01D 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. 太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和控制。
5. 電動(dòng)車和混合動(dòng)力車中的牽引逆變器。
由于其強(qiáng)大的電氣性能和可靠性，該器件特別適合需要高效率和高可靠性的應(yīng)用場景。
GQM1555C2D300GA01D, GQM1555C2D300GB02D, IRF840, STP18NF30
