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GQM1555C2D300GB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 21:57:44 查看 閱讀�14

GQM1555C2D300GB01D 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合于高效率和高頻率的工作�(huán)境�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其�(shè)�(jì)能夠承受較高的電壓和電流�(fù)�,同�(shí)提供出色的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

型號(hào):GQM1555C2D300GB01D
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):300V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):18A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.12Ω
  柵極電荷(Qg):45nC
  輸入電容(Ciss):2200pF
  總功耗(Ptot):150W
  工作溫度范圍(Tj):-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GQM1555C2D300GB01D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠在高電流條件下減少功率損��
  2. 快速的開關(guān)速度,使得其適用于高頻應(yīng)�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
  3. 高耐壓能力�300V�,保證在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 具備良好的熱性能,能夠有效散熱以延長使用壽命�
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),便于集成到緊湊型電路中�
  6. 可靠性高,能夠在惡劣的工�(yè)�(huán)境中保持�(wěn)定表�(xiàn)�
  這些特性使其成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇,如逆變�、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)控制��

�(yīng)�

GQM1555C2D300GB01D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和控制�
  5. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力車中的牽引逆變器�
  由于其強(qiáng)大的電氣性能和可靠�,該器件特別適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場景�

替代型號(hào)

GQM1555C2D300GA01D, GQM1555C2D300GB02D, IRF840, STP18NF30

gqm1555c2d300gb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gqm1555c2d300gb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �0.86332卷帶(TR�
  • 系列GQM
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容30 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微波,高頻
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-