時間：2025/5/19 12:59:21
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GQM1555C2D6R2BB01D 是一種高性能的射頻 (RF) 功率晶體管，專為無線通信系統(tǒng)中的功率放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的 LDMOS 工藝技術(shù)，具有高效率、高增益和優(yōu)異的線性度等特性。其廣泛應(yīng)用于蜂窩基站、無線電通信設(shè)備和其他高頻信號放大的場景中。
這種晶體管在設(shè)計(jì)上注重散熱性能和可靠性，能夠承受較高的輸出功率，同時保持較低的失真水平。此外，它還集成了內(nèi)部匹配網(wǎng)絡(luò)，從而簡化了外部電路設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
型號：GQM1555C2D6R2BB01D
類型：射頻功率晶體管
工藝：LDMOS
頻率范圍：1710 MHz 至 2170 MHz
輸出功率（P3dB）：55 W
效率：大于 50%
增益：15 dB
電源電壓：28 V
封裝形式：Flange 封裝
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
1. 高輸出功率：能夠在指定頻段內(nèi)提供高達(dá) 55W 的輸出功率，適合大功率應(yīng)用場景。
2. 高效率：在典型工作條件下，效率超過 50%，有助于降低能耗并減少散熱需求。
3. 內(nèi)部匹配網(wǎng)絡(luò)：集成的匹配網(wǎng)絡(luò)減少了對外部組件的需求，從而簡化了設(shè)計(jì)流程。
4. 寬帶性能：覆蓋從 1710MHz 到 2170MHz 的頻率范圍，適用于多種無線通信標(biāo)準(zhǔn)。
5. 良好的線性度：即使在高功率輸出下，仍能保持較低的互調(diào)失真 (IMD)，確保信號質(zhì)量。
6. 可靠性：采用堅(jiān)固的 Flange 封裝，具備出色的熱管理和機(jī)械強(qiáng)度，適合長期穩(wěn)定運(yùn)行。
1. 蜂窩基站：
- GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 系統(tǒng)中的功率放大器。
2. 無線基礎(chǔ)設(shè)施：
- 微波鏈路、中繼站和其他寬帶通信設(shè)備。
3. 軍事與航空航天：
- 雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信和戰(zhàn)術(shù)無線電設(shè)備。
4. 測試與測量：
- 高功率信號發(fā)生器和測試儀器。
5. 其他高頻放大應(yīng)用：
- 廣播電臺、工業(yè)加熱設(shè)備等需要大功率 RF 放大的場合。
GQM1555C2D6R2BA01D
GQM1555C2D6R2BC01D
