GQM1555C2DR60BB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高效率和卓越的熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)功率�(zhuǎn)換和控制的嚴(yán)格要��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了更高的電流承載能力和更低的功耗,非常適合需要高效能和可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類應(yīng)��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�48A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
柵極電荷(Qg)�77nC
總電�(Ciss)�3840pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
GQM1555C2DR60BB01D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下顯著降低功��
2. 高效率設(shè)�(jì),適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損��
4. 高度可靠的封裝技�(shù),確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定性�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. �(yōu)異的熱性能,能夠有效管理熱量積��
7. �(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)能力,提高系�(tǒng)的安全��
這些特性使得該芯片成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
GQM1555C2DR60BB01D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 通信電源和服�(wù)器電源模塊�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
6. 汽車電子中的啟停系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)�
由于其出色的性能和可靠�,該芯片在各種高功率�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
GQM1555C2DR60BA01D, GQM1555C2DR60BC01D