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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GQM1555C2DR60WB01D

GQM1555C2DR60WB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 9:28:28 查看 閱讀�8

GQM1555C2DR60WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管技�(shù),能夠在高電流和高電壓環(huán)境下提供卓越的性能�
  這款功率MOSFET具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,非常適合用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他電力電子�(shè)備中。其封裝形式通常為表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效的散熱管理�

參數(shù)

型號(hào):GQM1555C2DR60WB01D
  最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�55A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)速度:超�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GQM1555C2DR60WB01D具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
  3. 高額定電流能�,支持大功率�(fù)載�
  4. 出色的熱性能,確保在高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 良好的抗靜電能力和魯棒�,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用性�
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間�
  這些特點(diǎn)使得GQM1555C2DR60WB01D成為高效功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GQM1555C2DR60WB01D廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)控制和自�(dòng)化系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
  4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)及逆變器�
  5. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器和升�/降壓�(zhuǎn)換器�
  6. 充電器和適配器等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率處理單��
  總之,任何需要高效功率切換和控制的應(yīng)用場(chǎng)景都可以考慮使用該型�(hào)�

替代型號(hào)

GQM1555C2DR60WB02D,GQM1555C2DR60WB03D

gqm1555c2dr60wb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gqm1555c2dr60wb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �1.00158卷帶(TR�
  • 系列GQM
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.6 pF
  • 容差±0.05pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微波,高頻
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-