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時(shí)間：2025/5/30 22:00:18
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GQM1875C2E100RB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片，屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該型號(hào)廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效率和低功耗的場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)旨在提供較低的導(dǎo)通電阻以及快速的開關(guān)速度，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)能源效率的要求。
該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，確保在高溫和高負(fù)載條件下仍能保持穩(wěn)定的工作性能。此外，它還具有良好的熱特性和電氣特性，使其成為工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選擇。
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
耐壓：100V
最大電流：45A
導(dǎo)通電阻：1.2mΩ
柵極電荷：36nC
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
封裝形式：TO-247
GQM1875C2E100RB12D具備出色的電氣性能和可靠性，以下是其主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在大電流應(yīng)用中減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，適合高頻開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
3. 優(yōu)秀的熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫，適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，提高了器件在實(shí)際應(yīng)用中的抗靜電能力。
5. 柵極閾值電壓經(jīng)過優(yōu)化，保證了穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)和控制性能。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保，無鉛設(shè)計(jì)。
GQM1875C2E100RB12D憑借這些特性，已經(jīng)成為眾多功率電子產(chǎn)品的核心元件之一。
該型號(hào)的MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)或同步整流器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，如步進(jìn)電機(jī)、直流無刷電機(jī)等的控制。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器，用于筆記本電腦適配器、汽車電子等領(lǐng)域。
4. 太陽能逆變器和UPS不間斷電源系統(tǒng)的功率級(jí)模塊。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單元。
GQM1875C2E100RB12D憑借其高效、可靠的特點(diǎn)，在這些應(yīng)用中表現(xiàn)出色，有效降低了能耗并提升了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
IRFZ44N
FDP5570
STP100N10F5
