GQM1875C2E150GB12D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于高電壓、大電流場景中的功率�(zhuǎn)換和開關控制。該型號屬于溝道增強型MOSFET,采用先進的制造工藝以實現(xiàn)更低的導通電阻和更高的效��
這款器件通常用于電源管理、電機驅(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)設備�。其封裝形式和電氣特性使其非常適合需要快速開關和低功耗的應用�(huán)境�
最大漏源電壓:750V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻(典型值)�120mΩ
柵極電荷�55nC
輸入電容�1200pF
總功耗:200W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GQM1875C2E150GB12D 具有以下顯著低的導通電阻(Rds(on)�,可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關性能,適用于高頻應用場合�
3. 高耐壓能力,能夠在惡劣的電氣環(huán)境中�(wěn)定運��
4. �(nèi)置反向恢復二極管,減少開關噪聲并�(yōu)化動�(tài)性能�
5. 強大的熱�(wěn)定�,即使在高溫條件下也能保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足全球市場的法�(guī)要求�
這些特性使得該芯片成為高可靠性應用場景的理想選擇�
GQM1875C2E150GB12D 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)�
2. 電動工具和家用電器的電機�(qū)動電路�
3. 工業(yè)自動化設備中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 新能源汽車中的車載充電器和逆變��
5. LED�(qū)動器和高效照明系�(tǒng)�
6. 各類需要高電壓、大電流處理能力的電子設備�
憑借其出色的電氣特性和可靠�,該芯片在眾多行�(yè)中得到了廣泛應用�
GQM1875C2E150GB12H, IRFP260N, FDP18N75C