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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GQM1875C2E160GB12D

GQM1875C2E160GB12D 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 19:47:47 查看 閱讀�15

GQM1875C2E160GB12D是一款高性能的存儲芯�,主要應用于需要大容量數據存儲的設備中。該型號屬于QDR II+ SRAM系列,具有高速讀寫能力和低延遲特性,廣泛用于網絡交換�、路由器以及其他對實時性能要求較高的系�(tǒng)�
  這款芯片采用先進的制程工藝,能夠在保證�(wěn)定性和可靠性的前提下提供高效的存儲解決方案。其設計�(yōu)化了功耗與性能之間的平�,非常適合在高帶寬需求環(huán)境下使用�

參數

類型:SRAM
  容量�16Mb
  位寬�36�
  核心電壓�1.8V
  接口類型:QDR II+
  封裝形式:TQFP
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  最大時鐘頻率:533MHz
  訪問時間�12ns
  引腳數:184

特�

GQM1875C2E160GB12D具備以下關鍵特性:
  1. 極高的數據吞吐量,適合需要快速響應的應用場景�
  2. 支持多種突發(fā)模式,可以根據實際需求靈活配置�
  3. 低功耗設�,有助于降低整體系統(tǒng)的能源消��
  4. 內置奇偶校驗功能,增強了數據傳輸的可靠性�
  5. 具備嚴格的信號完整性控�,確保在高頻操作下的�(wěn)定��
  6. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠適應各種環(huán)境條��

應用

GQM1875C2E160GB12D廣泛應用于以下領域:
  1. 高性能網絡設備,如交換機和路由器�
  2. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng),尤其是在需要實時數據處理的情況��
  3. �(yī)療成像設�,例如超聲波和CT掃描儀中的緩存模塊�
  4. 高速數據采集系�(tǒng),包括雷達和�(wèi)星通信�
  5. 數據中心和服務器的臨時存儲緩沖區(qū)�
  6. 任何需要高帶寬和低延遲內存的應用場��

替代型號

GQM1875C2E160GA12D
  GQM1875C2E160HA12D
  GQM1875C2E160JA12D

gqm1875c2e160gb12d推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gqm1875c2e160gb12d參數

  • 特色產品High Frequency - High Q Capacitors
  • 標準包裝4,000
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列GQM
  • 電容16pF
  • 電壓 - 額定250V
  • 容差±2%
  • 溫度系數C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應用RF,微波,高頻
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W�1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.031"�0.80mm�
  • 引線間隔-
  • 特點� Q �,低損�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線�-