GQM2195C2A181JB12D 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于各種電源管理�(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能�
其主要功能是在電路中提供高效的電流切換和控制,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)��
型號(hào):GQM2195C2A181JB12D
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�130A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ(典型值)
柵極電荷�45nC(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GQM2195C2A181JB12D 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提高效率�
2. 高額定電流能力,使其適合大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)性能,能夠有效減少開�(guān)損耗�
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. 高度耐用,支持嚴(yán)苛的工作條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
這款功率 MOSFET 可用于多種場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器系�(tǒng)�
3. 大功率負(fù)載開�(guān)�(shè)�(jì)�
4. 汽車電子�(lǐng)域,例如 DC/DC �(zhuǎn)換器和啟�(dòng)控制�
5. 電池保護(hù)電路和能量存�(chǔ)系統(tǒng)�
6. 各種需要高效電流控制的�(yīng)用�
GQM2195C2A181JB12B, IRF2807ZPBF, FDP17N60E