GQM22M5C2HR50DB01L 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高可靠性汽�(chē)�(jí)功率MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中的各種高效能開(kāi)�(guān)和負(fù)載管理應(yīng)��
此型�(hào)的后綴“DB01L”表示其符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),并針對(duì)惡劣�(huán)境下的汽�(chē)�(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)化設(shè)�(jì)�
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
電壓(Vdss)�60V
電流(Id)�48A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
工作溫度范圍�-55� to 175�
封裝形式:TO-263-3 (D2PAK)
GQM22M5C2HR50DB01L 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高效�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on) = 3.5mΩ),可減少功率損耗并提升�(zhuǎn)換效��
2. 快速開(kāi)�(guān)特性,適合高頻�(yīng)用場(chǎng)��
3. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),具備優(yōu)異的可靠性和抗振�,能夠在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
4. 支持大電流(Id = 48A�,適用于需要高�(fù)載能力的�(yīng)用場(chǎng)��
5. 寬廣的工作溫度范圍(-55℃至175℃),使其非常適合于汽車(chē)�(fā)�(dòng)�(jī)艙等高溫�(huán)��
6. 具備�(qiáng)大的浪涌電流處理能力,提高了在瞬�(tài)條件下的耐用��
該功率MOSFET廣泛�(yīng)用于汽車(chē)電子系統(tǒng)和工�(yè)�(lǐng)域:
1. 汽車(chē)啟動(dòng)馬達(dá)控制電路�
2. 汽車(chē)DC-DC�(zhuǎn)換器與逆變器模塊�
3. �(chē)載信息娛�(lè)系統(tǒng)供電管理�
4. LED�(qū)�(dòng)器及照明控制�
5. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換電路�
6. 工業(yè)�(shè)備中的電源管理和保護(hù)電路�
TPH9000APB, FDP5500BL, IRF7747TRPBF