時間：2025/5/22 19:49:10
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GR442QR73D681KW01L 是一款由東芝（Toshiba）生產(chǎn)的功率MOSFET芯片，屬于U-MOSXIII系列。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式結(jié)構(gòu)技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于各種高效能電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。其封裝形式為TO-263-3（DPAK），適合表面貼裝工藝，從而提高了散熱性能和可靠性。
這款功率MOSFET在消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及汽車電子領(lǐng)域均有廣泛應(yīng)用，尤其是在需要高效能和低功耗的場景中表現(xiàn)優(yōu)異。
型號：GR442QR73D681KW01L
類型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源極電壓）：60V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：1.9mΩ
IDS（連續(xù)漏極電流）：125A
VGS（柵源極電壓）：±20V
f（工作頻率）：最高可達(dá)500kHz
封裝：TO-263-3 (DPAK)
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
GR442QR73D681KW01L 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
2. 高開關(guān)速度，得益于低輸入電容和優(yōu)化的柵極設(shè)計，可以滿足高頻應(yīng)用需求。
3. 強(qiáng)大的電流承載能力，最大支持125A的連續(xù)漏極電流，確保在大電流負(fù)載下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 先進(jìn)的溝槽式MOSFET結(jié)構(gòu)提升了器件的可靠性和耐用性。
5. 支持寬范圍的工作溫度（-55℃到+175℃），適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
GR442QR73D681KW01L 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流電路。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，例如降壓或升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
3. 電機(jī)驅(qū)動器，用于高效控制各類電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)。
4. 汽車電子系統(tǒng)，如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）、啟動發(fā)電機(jī)和車載充電器。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 太陽能逆變器及其他可再生能源轉(zhuǎn)換裝置。
7. 各種需要高效能功率管理的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
GR442QR73D681KWL01L, GR442QR73D681KW01H
