GRJ31BR72E153KWJ1L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率、高頻率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)自動化等領(lǐng)域。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型,其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型表面貼裝類型,有助于提高 PCB 布局的靈活性并減少整體系統(tǒng)尺寸。
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻(典型值):0.18Ω
柵極電荷(典型值):45nC
開關(guān)損耗:低
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效率的能量轉(zhuǎn)換。
2. 快速的開關(guān)速度降低了開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
3. 高耐壓能力使其能夠在嚴(yán)苛的電氣環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 內(nèi)置靜電防護(hù)功能提升了器件的可靠性。
5. 小型化封裝支持緊湊型設(shè)計(jì),同時提高了散熱性能。
6. 寬工作溫度范圍適應(yīng)各種極端環(huán)境下的使用需求。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器的核心功率元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率控制單元。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊。
6. 各種需要高效功率管理的電子設(shè)備中作為關(guān)鍵功率組件。
IRF740,
STP15NF70,
FDP15N70,
IXFN70N15P