GRM0335C2A5R1DA01J 是由村田制作所(Murata)生�(chǎn)的一款多層陶瓷電容器(MLCC�,屬� C0G 介質(zhì)系列。該型號(hào)采用表面貼裝技�(shù),具有高可靠性和出色的頻率穩(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于高頻電路、濾波器和振蕩器等場(chǎng)景�
C0G 介質(zhì)是一種溫度補(bǔ)償型材料,其電容值隨溫度的變化非常小,適用于�(duì)溫度�(wěn)定性要求較高的�(yīng)用場(chǎng)�。此外,該型�(hào)具有較低的等效串�(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL�,能夠有效減少信�(hào)失真并提升電路性能�
容量�51pF
額定電壓�50V
尺寸代碼�0402 (公制 1005)
介質(zhì)�(lèi)型:C0G (NP0)
耐壓等級(jí):DC 50V
公差:�0.25pF
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
封裝形式:表面貼� (SMD)
外形尺寸�0.4mm x 0.2mm
1. 高溫�(wěn)定性:由于使用� C0G 介質(zhì),GRM0335C2A5R1DA01J 在整�(gè)工作溫度范圍�(nèi)表現(xiàn)出極低的電容變化�,典型值小� ±30ppm/°C。這使其非常適合在精密電路中使用�
2. 小型化設(shè)�(jì):該電容器采用了 0402 封裝,體積小�,非常適合需要高密度組裝的應(yīng)��
3. 高可靠性:MLCC 技�(shù)賦予 GRM0335C2A5R1DA01J 出色的機(jī)械強(qiáng)度和�(zhǎng)期穩(wěn)定�,可承受多次焊接熱循�(huán)而不�(huì)顯著降低性能�
4. 低損耗:其介�(zhì)損耗因�(shù)(Df)非常低,在高頻條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,適合射頻和微波電路�(yīng)��
5. �(huán)保合�(guī):符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),并且不含鹵素,�(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(huán)保需��
GRM0335C2A5R1DA01J 適用于以下領(lǐng)域:
1. 高頻濾波器:利用其低 ESR � ESL 特�,可用于�(gòu)建高效的射頻濾波�,改善信�(hào)�(zhì)��
2. 振蕩電路:作為定�(shí)元件或負(fù)載電�,用于晶體振蕩器和其他類(lèi)型的振蕩電路中,確保�(wěn)定的頻率輸出�
3. 耦合與去耦:在電源管理模塊中用作去耦電�,以抑制噪聲并穩(wěn)定電��
4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備:如路由器、交換機(jī)等需要高可靠性和高頻性能的場(chǎng)��
5. �(yī)療電子:如超聲波�(shè)備和診斷儀器中的高頻信�(hào)處理部分�
1. TDK C0G 系列:例� C0G3E2A51J500NC,具備類(lèi)似的電容�、介�(zhì)特性和尺寸�
2. Kemet C0G 系列:例� C0G1E51PF500K,提供相同的性能表現(xiàn),但可能在成本上有所差異�
3. Samsung SC03C1H5R1KACT,也是兼容的 MLCC 型號(hào),適用于相似的設(shè)�(jì)要求�
選擇替代型號(hào)�(shí),請(qǐng)�(wù)必確�(rèn)其規(guī)格是否完全滿(mǎn)足實(shí)際電路的需�,并�(jìn)行充分測(cè)試以�(yàn)證兼容性�