GRM1552C1H9R2BA01D 是一款由村田制作所(Murata)生�(chǎn)的多層陶瓷電容器(MLCC�,屬� C0G (NP0) 介質(zhì)類型。該型號電容器具有高�(wěn)定性和低損耗的特�,適用于對頻率響�(yīng)和溫度穩(wěn)定性要求較高的電路�。其額定電壓� 50V,標(biāo)稱容量為 9.2pF,封裝尺寸為 0402 英寸 (1012 公制),并采用表面貼裝技�(shù) (SMT) �(jìn)行安��
C0G 類型的介�(zhì)材料確保了該電容器在寬廣的工作溫度范圍內(nèi) (-55°C � +125°C) 容量變化極小,從而適合用于濾�、耦合、旁路等高頻�(yīng)用場��
型號:GRM1552C1H9R2BA01D
類別:多層陶瓷電容器 (MLCC)
介質(zhì)類型:C0G (NP0)
額定電壓�50V
�(biāo)稱容量:9.2pF
容差:�0.1pF
封裝尺寸�0402 英寸 (1012 公制)
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
ESR:極�
DF:極�
GRM1552C1H9R2BA01D 的主要特�(diǎn)是其使用� C0G 類介�(zhì)材料,這種材料使得電容器具備以下特性:
1. 高穩(wěn)定性:在溫度變�、電壓變化和�(shí)間推移的情況�,容量幾乎保持不�,這使其非常適合用于精密電路和振蕩器應(yīng)用�
2. 低損耗:由于介質(zhì)材料的特�,該電容器在高頻下的損耗非常小,有助于提高整體系統(tǒng)的效��
3. 小型化設(shè)�(jì)�0402 封裝尺寸使其能夠在緊湊的�(shè)�(jì)中實(shí)�(xiàn)更高的電路密度,特別適合�(xiàn)代小型化電子�(shè)備的需��
4. 表面貼裝技�(shù) (SMT):便于自�(dòng)化生�(chǎn),提高了裝配效率并降低了制造成��
此外,C0G 材料還提供了�(yōu)異的頻率響應(yīng)能力,使 GRM1552C1H9R2BA01D 在射頻和無線通信�(lǐng)域表�(xiàn)出色�
由于其高�(wěn)定性和低損耗特�,GRM1552C1H9R2BA01D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 振蕩電路:如晶體振蕩器中的負(fù)載電�,以確保�(wěn)定的頻率輸出�
2. 濾波電路:用于射頻和音頻信號的濾�,提供清晰的信號傳輸�
3. 耦合和解耦:在電源電路中用作去耦電�,減少噪聲干擾�
4. �(shù)�(jù)通信�(shè)備:包括路由�、交換機(jī)和調(diào)制解�(diào)器等,用于高頻信號處��
5. 工業(yè)控制:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中用于信號�(diào)理和電源管理�
總之,任何需要高精度、高頻性能和穩(wěn)定性的�(yīng)用場合都可以考慮使用該型號電容器�
1. TDK 系列:C1608C9R2NA5GACD 或� C1608C9R2NA5GACT,它們同樣使� C0G 介質(zhì),并具有類似的規(guī)格和性能�
2. Samsung 系列:CL16B9R2QN5NNNC,這款�(chǎn)品也符合相同的電氣特性和尺寸要求�
3. Kemet 系列:C0G 系列中的某些型號例如 C0402C9R2A5GAT2A 可能可以作為替代選擇�
在選擇替代型號時(shí),請�(wù)必核對其具體參數(shù)是否完全滿足您的�(shè)�(jì)需�,特別是容量、容�、額定電壓和溫度系數(shù)等方��