GRT0335C1H111JA02D 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開關電�、電機驅動和負載切換等應用領�。該器件采用先進的溝槽式工藝制造,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式� TO-263(DPAK),能夠有效提高散熱效率并適應大電流工作�(huán)��
這款芯片適合需要高效能與高可靠性的場景,例如消費類電子設備、工�(yè)控制以及汽車電子等領�。由于其出色的電氣特性,GRT0335C1H111JA02D 成為了許多設計工程師在功率管理方案中的首��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�48A (典型�)
導通電�(Rds(on))�1.1mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷(Qg)�79nC
輸入電容(Ciss)�2480pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導通電� Rds(on),可以顯著降低功耗和�(fā)��
2. 快速的開關速度,有助于減少開關損耗并提升整體效率�
3. 高額定電� Id 和耐壓能力 Vds,確保在復雜電路中穩(wěn)定運行�
4. �(yōu)秀的熱性能,支持更高的功率密度和更長的使用壽命�
5. 具備強固的靜電防護能力,提高了系�(tǒng)可靠��
6. 小型化封裝設�,節(jié)省了 PCB 空間,同時保持良好的散熱性能�
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IRF3205, AO3400A, FDP16N06L, IXTM140N06T2