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時(shí)間：2025/3/18 10:49:51
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GRT033R60J683KE01D 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高功率密度、高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。該器件專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減小系統(tǒng)尺寸。
其封裝形式為表面貼裝型（SMD），適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、通信設(shè)備、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電動(dòng)汽車車載充電器等領(lǐng)域。
型號(hào)：GRT033R60J683KE01D
類型：增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）
額定電壓：600V
額定電流：33A
導(dǎo)通電阻：68mΩ（典型值）
柵極電荷：45nC（最大值）
反向恢復(fù)時(shí)間：無（由于內(nèi)部肖特基二極管結(jié)構(gòu)）
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-Leadless（無引腳）
1. 高耐壓能力（600V），適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（68mΩ），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率。
3. 快速開關(guān)性能，支持高達(dá)數(shù)兆赫茲的工作頻率，可大幅縮小無源元件的體積。
4. 內(nèi)置零反向恢復(fù)電荷的肖特基二極管，降低開關(guān)過程中的能量損失。
5. 增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)確保在正柵極驅(qū)動(dòng)下開啟，在零或負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)下關(guān)閉，使用更加安全可靠。
6. 耐高溫設(shè)計(jì)，能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
7. 表面貼裝封裝簡化了 PCB 設(shè)計(jì)與制造流程。
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
4. 太陽能微逆變器
5. 電動(dòng)車車載充電器（OBC）
6. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源供應(yīng)模塊
7. 工業(yè)級(jí)高頻電源設(shè)備
8. 通信基站電源系統(tǒng)
1. GAN063-650WSB（相似規(guī)格但稍高的額定電壓）
2. EPC2016C（來自另一供應(yīng)商，具有類似的 Rds(on) 和 Vds 參數(shù)）
3. Infineon CoolGaN 系列 IGx0R0xxD（Infineon 的 GaN 器件家族成員）
注意：選擇替代型號(hào)時(shí)需驗(yàn)證具體參數(shù)是否完全匹配實(shí)際應(yīng)用需求。
