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GRT1555C1H120GA02D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/3 15:21:48 查看 閱讀：43

GRT1555C1H120GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高效率、高頻率的開關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式工藝技術(shù)，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，從而提升整體系統(tǒng)性能。
　　此型號(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET，適用于廣泛的工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，例如適配器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。

參數(shù)

類型：N溝道MOSFET
　　額定電壓：650V
　　額定電流：120A
　　導(dǎo)通電阻（最大）：1.2mΩ
　　柵極電荷（典型值）：380nC
　　連續(xù)漏極電流：120A
　　功耗：40W
　　封裝形式：TO-247

特性

GRT1555C1H120GA02D具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn)，能夠在高頻工作條件下提供出色的效率表現(xiàn)。同時(shí)，其優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)使得散熱性能更加優(yōu)越，可以有效延長(zhǎng)器件壽命。
　　此外，該MOSFET還具備快速的開關(guān)速度和較低的米勒電容，有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。
　　其650V的耐壓等級(jí)確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行，特別適合需要處理較高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，并且經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測(cè)試，保證了長(zhǎng)期使用的穩(wěn)定性與一致性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
　　3. 太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)
　　4. 電動(dòng)車充電樁及車載電子設(shè)備
　　5. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊
　　由于其強(qiáng)大的電流承載能力和高耐壓性能，這款MOSFET在需要高功率密度和高可靠性的場(chǎng)合表現(xiàn)出色。

替代型號(hào)

GRT1555C1H120GA01D
　　IRFP460
　　FQP17N65C
　　STP120N65K5

grt1555c1h120ga02d推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

grt1555c1h120ga02d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格10,639 : ￥0.07925卷帶（TR）
  • 系列*
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容-
  • 容差-
  • 電壓 - 額定-
  • 溫度系數(shù)-
  • 工作溫度-
  • 特性-
  • 等級(jí)-
  • 應(yīng)用-
  • 故障率-
  • 安裝類型-
  • 封裝/外殼-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）-
  • 引線間距-
  • 引線樣式-