GRT1555C1H120GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率、高頻率的開�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝技�(shù),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)性能�
此型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適用于廣泛的工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,例如適配器、充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
類型:N溝道MOSFET
額定電壓�650V
額定電流�120A
�(dǎo)通電阻(最大)�1.2mΩ
柵極電荷(典型值)�380nC
連續(xù)漏極電流�120A
功耗:40W
封裝形式:TO-247
GRT1555C1H120GA02D具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供出色的效率表現(xiàn)。同�(shí),其�(yōu)化的熱設(shè)�(jì)使得散熱性能更加�(yōu)�,可以有效延�(zhǎng)器件壽命�
此外,該MOSFET還具備快速的開關(guān)速度和較低的米勒電容,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)的動(dòng)�(tài)響應(yīng)能力�
�650V的耐壓等級(jí)確保了在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�,特別適合需要處理較高電壓的�(yīng)用場(chǎng)景�
該產(chǎn)品符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),并且經(jīng)過嚴(yán)格的可靠性測(cè)試,保證了長(zhǎng)期使用的�(wěn)定性與一致��
1. 開關(guān)電源(SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
3. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)
4. 電動(dòng)車充電樁及車載電子設(shè)�
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換模�
由于其強(qiáng)大的電流承載能力和高耐壓性能,這款MOSFET在需要高功率密度和高可靠性的�(chǎng)合表�(xiàn)出色�
GRT1555C1H120GA01D
IRFP460
FQP17N65C
STP120N65K5