GRT1555C1H200GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)景�
這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,能夠提供卓越的電流承載能力和電壓耐受能力。其封裝形式和電氣特性使其成為工�(yè)、消�(fèi)電子以及汽車(chē)�(yīng)用的理想選擇�
型號(hào):GRT1555C1H200GA02D
�(lèi)型:N溝道MOSFET
VDS(漏源極擊穿電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�2mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):200A
Qg(柵極電荷)�48nC
VGS(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2.5V
fBSOD(體二極管正向電壓)�0.7V
封裝:TO-247-3
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 超低�(dǎo)通電阻RDS(on),顯著降低導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流和電壓,確保在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷,優(yōu)化動(dòng)�(tài)性能并減少開(kāi)�(guān)損耗�
4. �(nèi)置反向恢�(fù)快速體二極�,支持同步整流和�(xù)流功��
5. 采用�(jiān)固耐用的封裝設(shè)�(jì),具備優(yōu)秀的散熱性能�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
7. 支持高頻�(kāi)�(guān)操作,適用于�(xiàn)代高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流器�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng),包括電�(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS�、制�(dòng)系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)(BMS��
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換裝��
7. 高電流負(fù)載開(kāi)�(guān)和配電應(yīng)用�
IRFP2907,
STP200N06,
FDP2956T,
IXYS IXFN200N06T2