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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GRT1555C1H200GA02D

GRT1555C1H200GA02D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/25 10:59:55 查看 閱讀�38

GRT1555C1H200GA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)景�
  這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,能夠提供卓越的電流承載能力和電壓耐受能力。其封裝形式和電氣特性使其成為工�(yè)、消�(fèi)電子以及汽車(chē)�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):GRT1555C1H200GA02D
  �(lèi)型:N溝道MOSFET
  VDS(漏源極擊穿電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�2mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):200A
  Qg(柵極電荷)�48nC
  VGS(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2.5V
  fBSOD(體二極管正向電壓)�0.7V
  封裝:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 超低�(dǎo)通電阻RDS(on),顯著降低導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流和電壓,確保在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷,優(yōu)化動(dòng)�(tài)性能并減少開(kāi)�(guān)損耗�
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)快速體二極�,支持同步整流和�(xù)流功��
  5. 采用�(jiān)固耐用的封裝設(shè)�(jì),具備優(yōu)秀的散熱性能�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  7. 支持高頻�(kāi)�(guān)操作,適用于�(xiàn)代高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流器�
  2. 直流/直流�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓電��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng),包括電�(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS�、制�(dòng)系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)(BMS��
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換裝��
  7. 高電流負(fù)載開(kāi)�(guān)和配電應(yīng)用�

替代型號(hào)

IRFP2907,
  STP200N06,
  FDP2956T,
  IXYS IXFN200N06T2

grt1555c1h200ga02d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

grt1555c1h200ga02d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,639 : �0.07925卷帶(TR�
  • 系列*
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容-
  • 容差-
  • 電壓 - 額定-
  • 溫度系數(shù)-
  • 工作溫度-
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�-
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�-
  • 封裝/外殼-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引線間距-
  • 引線樣式-