GRT188R60G106ME13J 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,屬� GaN Systems 公司的增�(qiáng)� GaN 功率晶體管系列產(chǎn)�。該器件采用了島柵結(jié)�(gòu)�(shè)�,具有高開關(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特�,非常適合用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場景�
此型號中的具體參�(shù)包括:額定電壓為 600V,導(dǎo)通電阻為 100mΩ,封裝形式為 GAN-8,且支持高達(dá) 25A 的連續(xù)漏極電流。此�,該器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出卓越的熱性能和可靠�,使其成為下一代高效電力電子系�(tǒng)的核心組��
額定電壓�600V
�(dǎo)通電阻:100mΩ
最大漏極電流:25A
封裝類型:GAN-8
工作溫度范圍�-40� � +125�
輸入電容�7nF
閾值電壓:2.5V
開關(guān)頻率:超� 2MHz
1. 增強(qiáng)� GaN 晶體管設(shè)�,具備零反向恢復(fù)電荷 (Qrr),從而減少開�(guān)損��
2. 高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻使得該器件能夠在高效率和高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
3. 支持快速開�(guān)操作,能夠顯著降低開�(guān)損耗,并提高整體系�(tǒng)的效��
4. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,提升了器件的可靠性和耐用��
5. 熱阻較低,有助于更高效的散熱管理,適用于長時間高�(fù)載運行環(huán)��
6. 封裝兼容性強(qiáng),便于與傳統(tǒng) MOSFET � IGBT 解決方案�(jìn)行替換或升級�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)��
GRT188R60G106ME13J 廣泛�(yīng)用于多種高性能電力電子�(lǐng)�,例如:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動� (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的車載充電器 (OBC) 以及牽引逆變器�
3. 工業(yè)�(shè)備中的伺服驅(qū)動器和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
5. �(shù)�(jù)中心和通信基站中的高效電源管理系統(tǒng)�
6. 快速充電適配器和無線充電解決方��
GTH188R60G106ME13J
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