GRT21BR60J335KE13K 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的半導(dǎo)體制造工藝。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。此型號為N溝道增強型MOSFET,適合于高頻應(yīng)用場合。
該芯片設(shè)計著重于提升效率和可靠性,在高電流和高電壓條件下表現(xiàn)優(yōu)異。其封裝形式通常為表面貼裝類型,便于自動化生產(chǎn)和提高系統(tǒng)集成度。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:33A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:85nC
工作結(jié)溫范圍:-55℃ to +175℃
封裝類型:TO-Leadless (TOLL)
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率。
2. 高速開關(guān)能力,支持高達1MHz的工作頻率。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下依然保持高效運行。
4. 內(nèi)置ESD保護電路,增強抗靜電能力。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛設(shè)計。
6. 可靠的電氣隔離,保證安全操作。
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心開關(guān)元件。
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動控制。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換。
5. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模塊。
6. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換部分。
GRT21BR60J335KE13H, GRT21AR60J335KE13K