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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GS1B

GS1B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/25 10:59:55 查看 閱讀�42

GS1B是一種基于CMOS工藝制造的高性能�(yùn)算放大器芯片,廣泛應(yīng)用于信號(hào)處理和放大場(chǎng)�。其主要特點(diǎn)是低功耗、高增益帶寬積以及良好的直流精度。該芯片適用于工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備等�(lǐng)域的電路�(shè)�(jì)。GS1B支持單電源供電,并能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
  該芯片采用了小型化的封裝形式,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使用,同時(shí)具有較低的輸入偏置電流和較高的共模抑制比(CMRR�,使其成為精密信�(hào)�(diào)理應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

供電電壓�2.7V�5.5V
  靜態(tài)工作電流�100μA
  增益帶寬積:10MHz
  單位增益頻率�10MHz
  輸入失調(diào)電壓�1mV
  輸出電流�25mA
  共模抑制比:80dB
  工作溫度范圍�-40℃至+85�
  封裝形式:SOT-23

特�

GS1B是一款專(zhuān)為低功耗和高性能需求設(shè)�(jì)的運(yùn)算放大器芯片。以下是其主要特性:
  1. 高增益帶寬積:高�(dá)10MHz的增益帶寬積使該芯片能夠支持高頻信號(hào)放大�
  2. 低功耗:靜態(tài)工作電流僅為100μA,適合電池供電系�(tǒng)�
  3. 單電源操作:支持�2.7V�5.5V的寬電壓范圍,簡(jiǎn)化了電源�(shè)�(jì)�
  4. 高共模抑制比�80dB的CMRR確保在復(fù)雜噪聲環(huán)境下仍能保持良好的信�(hào)完整��
  5. 小型化封裝:采用SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
  6. 寬工作溫度范圍:能在-40℃至+85℃范圍內(nèi)正常工作,適�(yīng)多種�(huán)境條��

�(yīng)�

GS1B廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:如音頻信�(hào)放大、傳感器信號(hào)�(diào)��
  2. 工業(yè)自動(dòng)化:用于�(guò)程控制、數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)中的信號(hào)放大�
  3. 通信�(shè)備:如無(wú)線傳感器�(wǎng)�(luò)中的信號(hào)�(diào)理模��
  4. �(yī)療設(shè)備:用于心率�(jiān)�(cè)儀、血壓計(jì)等需要精密信�(hào)放大的場(chǎng)��
  5. 電池管理系統(tǒng):用作低功耗放大器以監(jiān)�(cè)電池電壓和電��

替代型號(hào)

TLV2372, OPA354

gs1b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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gs1b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�5,000 : �0.21659卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)�(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A
  • 速度�(biāo)�(zhǔn)恢復(fù) >500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)2.5 μs
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏5 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容15pF @ 4V�1MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼DO-214AC,SMA
  • 供應(yīng)商器件封�SMA(DO-214AC�
  • 工作溫度 - �(jié)-65°C ~ 175°C