GS1G_R1_00001 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),廣泛應(yīng)用于高頻、高效能的功率轉(zhuǎn)換和射頻放大領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的GaN工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及出色的耐壓性能,能夠顯著提高電源系統(tǒng)的效率和功率密度。
其封裝形式緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景,并且在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
型號(hào):GS1G_R1_00001
類型:GaN HEMT
工作電壓:650V
持續(xù)電流:15A
導(dǎo)通電阻:40mΩ
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá)3MHz
封裝形式:TO-247-4L
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GS1G_R1_00001 的主要特性包括:
1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力,適用于各種硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
3. 高開(kāi)關(guān)頻率支持,允許設(shè)計(jì)更小的磁性元件和電容器,從而減小系統(tǒng)尺寸。
4. 良好的熱管理性能,能夠在較高溫度下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)可靠性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
GS1G_R1_00001 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電器。
2. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和電信電源模塊。
3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。
4. 電動(dòng)汽車(EV)車載充電器及牽引逆變器。
5. 射頻放大器和工業(yè)微波加熱設(shè)備。
6. 快速充電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方案。
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IRGB4062DPBF
FDMQ8207