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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GS1G_R1_00001

GS1G_R1_00001 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:41:21 查看 閱讀�25

GS1G_R1_00001 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,廣泛應(yīng)用于高頻、高效能的功率轉(zhuǎn)換和射頻放大�(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的GaN工藝,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的耐壓性能,能夠顯著提高電源系�(tǒng)的效率和功率密度�
  其封裝形式緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)�,并且在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):GS1G_R1_00001
  類型:GaN HEMT
  工作電壓�650V
  持續(xù)電流�15A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)3MHz
  封裝形式:TO-247-4L
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GS1G_R1_00001 的主要特性包括:
  1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力,適用于各種硬�(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  3. 高開(kāi)�(guān)頻率支持,允許設(shè)�(jì)更小的磁性元件和電容器,從而減小系�(tǒng)尺寸�
  4. 良好的熱管理性能,能夠在較高溫度下穩(wěn)定運(yùn)��
  5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

GS1G_R1_00001 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電器�
  2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源和電信電源模塊�
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  4. 電動(dòng)汽車(EV)車載充電器及牽引逆變��
  5. 射頻放大器和工業(yè)微波加熱�(shè)��
  6. 快速充電器和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方案�

替代型號(hào)

GS1G_R1_00002
  GS1G_R1_00003
  IRGB4062DPBF
  FDMQ8207

gs1g_r1_00001推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gs1g_r1_00001參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2,929�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �1.67000剪切帶(CT�1,800 : �0.35373卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)�(biāo)�(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值)400 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If �(shí)電壓 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A
  • 速度�(biāo)�(zhǔn)恢復(fù) >500ns�> 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)-
  • 不同 Vr �(shí)電流 - 反向泄漏1 μA @ 400 V
  • 不同?Vr、F �(shí)電容12pF @ 4V�1MHz
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼DO-214AC,SMA
  • 供應(yīng)商器件封�SMA(DO-214AC�
  • 工作溫度 - �(jié)-55°C ~ 150°C