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GS1G_R1_00001 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/9 18:41:21 查看 閱讀：25

GS1G_R1_00001 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），廣泛應(yīng)用于高頻、高效能的功率轉(zhuǎn)換和射頻放大領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的GaN工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及出色的耐壓性能，能夠顯著提高電源系統(tǒng)的效率和功率密度。
　　其封裝形式緊湊，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

型號(hào)：GS1G_R1_00001
　　類型：GaN HEMT
　　工作電壓：650V
　　持續(xù)電流：15A
　　導(dǎo)通電阻：40mΩ
　　開(kāi)關(guān)頻率：高達(dá)3MHz
　　封裝形式：TO-247-4L
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

GS1G_R1_00001 的主要特性包括：
　　1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力，適用于各種硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
　　3. 高開(kāi)關(guān)頻率支持，允許設(shè)計(jì)更小的磁性元件和電容器，從而減小系統(tǒng)尺寸。
　　4. 良好的熱管理性能，能夠在較高溫度下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)可靠性。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

GS1G_R1_00001 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS），如AC-DC適配器和充電器。
　　2. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和電信電源模塊。
　　3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。
　　4. 電動(dòng)汽車（EV）車載充電器及牽引逆變器。
　　5. 射頻放大器和工業(yè)微波加熱設(shè)備。
　　6. 快速充電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方案。

替代型號(hào)

GS1G_R1_00002
　　GS1G_R1_00003
　　IRGB4062DPBF
　　FDMQ8207

gs1g_r1_00001推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gs1g_r1_00001參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量2,929現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥1.67000剪切帶（CT）1,800 : ￥0.35373卷帶（TR）
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）400 V
  • 電流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A
  • 速度標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)-
  • 不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏1 μA @ 400 V
  • 不同?Vr、F 時(shí)電容12pF @ 4V，1MHz
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼DO-214AC，SMA
  • 供應(yīng)商器件封裝SMA（DO-214AC）
  • 工作溫度 - 結(jié)-55°C ~ 150°C