GSA11N80E 是一� N 灃道通態(tài) MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特性,適合用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 80V,持�(xù)漏極電流可達(dá) 11A(在特定條件下),并且具備較低的柵極電荷,有助于提高系統(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:80V
持續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型�,在特定條件下)
柵極電荷�35nC(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
GSA11N80E 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,得益于其較小的柵極電荷�
3. 支持高頻操作,適用于�(kāi)�(guān)頻率較高的應(yīng)用環(huán)境�
4. 提供出色的熱�(wěn)定�,允許在較高溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路設(shè)�(jì)��
GSA11N80E 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)的關(guān)鍵功率元��
4. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換功��
5. 高效能量管理模塊,如太陽(yáng)能逆變器或電池管理系統(tǒng) (BMS)�
IRFZ44N, STP11NK60Z, FDP11N80Z