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GSD05N65E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/11 18:22:06 查看 閱讀�7

GSD05N65E 是一� N 沒有�(dǎo)通型的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,屬于溝槽式�(jié)�(gòu),主要用于高電壓和高效率的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合于開關(guān)電源、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域�
  這款 MOSFET 的額定電壓為 650V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,確保在�(yán)苛的工作條件下依然可以保持穩(wěn)定的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�5A
  �(dǎo)通電阻:1.4Ω
  柵極電荷�35nC
  輸入電容�1200pF
  開關(guān)�(shí)間:ton=85ns, toff=55ns

特�

GSD05N65E 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力�650V 的額定電壓使其適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)�,例如工�(yè)�(shè)備和電動(dòng)汽車中的電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  2. 低導(dǎo)通電阻:1.4Ω 的導(dǎo)通電阻有效降低了�(dǎo)通損�,提升了系統(tǒng)的整體效��
  3. 快速開�(guān)性能:較小的柵極電荷和快速的開關(guān)�(shí)間有助于減少開關(guān)損耗,提高高頻�(yīng)用中的性能�
  4. 良好的熱�(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下,該器件仍能保持可靠的運(yùn)行狀�(tài)�
  5. 小型封裝�(shè)�(jì):便于集成到緊湊型電路中,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化的需��

�(yīng)�

GSD05N65E 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,用于計(jì)算機(jī)、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品�
  2. 逆變器:用于太陽能發(fā)電系�(tǒng)和不間斷電源(UPS)中,實(shí)�(xiàn)直流到交流的高效�(zhuǎn)換�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于家用電器、工�(yè)�(shè)備以及電�(dòng)車中的無刷直流電�(jī)控制�
  4. PFC(功率因�(shù)校正)電路:提升電力系統(tǒng)的效率并減少諧波失真�
  5. 其他高壓�(yīng)用:如電子鎮(zhèn)流器和固�(tài)繼電器等�

替代型號(hào)

GSD06N65E, GSD08N65E

gsd05n65e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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