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GSD11N65E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 19:03:42 查看 閱讀�19

GSD11N65E 是一� N 治金氧化物半�(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS�,屬于高壓功� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于需要高效能和穩(wěn)定性能的電路中�
  其主要用途包括開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用。此�,該器件在設(shè)�(jì)上注重降低損耗,以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效率和小型化的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�11A
  �(dǎo)通電阻:2.9Ω
  柵極閾值電壓:4V
  功耗:37W
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�

特�

GSD11N65E 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓:該器件可承受高達(dá) 650V 的漏源電�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:其典型導(dǎo)通電阻僅� 2.9Ω,在大電流條件下能夠減少功率損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:該 MOSFET 具備較低的開(kāi)�(guān)損耗,適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55� � 175� 的寬溫度范圍�(nèi)可靠工作,適�(yīng)惡劣�(huán)��
  5. 小型封裝:采用標(biāo)�(zhǔn)封裝形式,便于安裝與布局,同�(shí)節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

GSD11N65E 被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)�
  用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器等,提供高效的功率�(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  在無(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)控制�,作為功率級(jí)�(kāi)�(guān)元件�
  3. 逆變器:
  �(yīng)用于光伏逆變�、不間斷電源 (UPS) 等場(chǎng)景,�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
  4. LED �(qū)�(dòng)�
  為大功率 LED 提供�(wěn)定的電流控制�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:
  用作各種工業(yè)控制�(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)元件�

替代型號(hào)

GSD11N65,
  IRFP260N,
  STP11NM60,
  FQA11N65C

gsd11n65e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)