GT30J122是一款基于硅工藝制造的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其�(yōu)化的�(shè)�(jì)使其能夠在高頻開(kāi)�(guān)條件下保持高效性能,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性�
GT30J122采用TO-220封裝形式,便于散熱處理,廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
總功耗:180W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
存儲(chǔ)溫度范圍�-65℃至+150�
GT30J122具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件還具備快速開(kāi)�(guān)能力,有助于減少�(kāi)�(guān)損�,并且擁有良好的雪崩能量吸收能力以確保在異常情況下的可靠性�
其熱增強(qiáng)型TO-220封裝提供了優(yōu)越的散熱性能,使得該器件在高功率�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�。同�(shí),由于采用了先�(jìn)的制程技�(shù),GT30J122能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能�
這款MOSFET適合用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中的功率管理環(huán)節(jié)。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
- �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
- 電池管理系統(tǒng)
- 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
憑借其高性能指標(biāo),GT30J122可為工程師提供靈活且高效的解決方案選��
IRFZ44N
STP30NF10L
FDP5500
IXFN30N10T2