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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GT30J122

GT30J122 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 19:19:32 查看 閱讀�16

GT30J122是一款基于硅工藝制造的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其�(yōu)化的�(shè)�(jì)使其能夠在高頻開(kāi)�(guān)條件下保持高效性能,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性�
  GT30J122采用TO-220封裝形式,便于散熱處理,廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  總功耗:180W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65℃至+150�

特�

GT30J122具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件還具備快速開(kāi)�(guān)能力,有助于減少�(kāi)�(guān)損�,并且擁有良好的雪崩能量吸收能力以確保在異常情況下的可靠性�
  其熱增強(qiáng)型TO-220封裝提供了優(yōu)越的散熱性能,使得該器件在高功率�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�。同�(shí),由于采用了先�(jìn)的制程技�(shù),GT30J122能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能�

�(yīng)�

這款MOSFET適合用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中的功率管理環(huán)節(jié)。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
  - �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  - DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
  - 電池管理系統(tǒng)
  - 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
  憑借其高性能指標(biāo),GT30J122可為工程師提供靈活且高效的解決方案選��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF10L
  FDP5500
  IXFN30N10T2

gt30j122推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • GT30J122
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