GTW2520-1R0K是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,廣泛應(yīng)用于射頻和微波功率放大器�(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)�0.25μm GaN工藝,具有出色的高頻特性和高功率密度,能夠在高頻率下提供卓越的性能�
該芯片主要設(shè)�(jì)用于通信系統(tǒng)、雷�(dá)�(shè)�、衛(wèi)星通信以及�(cè)試測(cè)�?jī)x器等�(yīng)用場(chǎng)景,能夠滿足�(duì)高性能射頻功率的需��
最大漏源電壓:100V
柵極電壓范圍�-4V � 8V
漏極電流�10A
輸出功率�35W
增益�12dB
頻率范圍:DC � 2GHz
熱阻�1°C/W
封裝形式:裸芯片
GTW2520-1R0K的核心優(yōu)�(shì)在于其采用的GaN技�(shù),相比傳�(tǒng)的硅基晶體管,具備更高的擊穿電壓、更快的開關(guān)速度和更低的�(dǎo)通電��
1. 高效率:得益于GaN材料的優(yōu)異性能,該芯片在高頻工作時(shí)仍能保持較高的轉(zhuǎn)換效�,減少能量損耗�
2. 小型化設(shè)�(jì):由于GaN器件的高功率密度,GTW2520-1R0K可以在更小的封裝�(nèi)�(shí)�(xiàn)更高功率輸出,非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
3. 寬帶性能:支持從直流�2GHz的寬頻率范圍,使其成為多種無線通信系統(tǒng)的理想選��
4. 熱管理能力:低熱阻設(shè)�(jì)有助于提高散熱效�,從而延�(zhǎng)器件壽命并增�(qiáng)系統(tǒng)可靠��
該器件適用于多種射頻和微波功率應(yīng)�,包括但不限于:
1. 通信基站中的功率放大器模塊�
2. 軍事和民用雷�(dá)系統(tǒng)的發(fā)射機(jī)部分�
3. �(wèi)星通信中的上行鏈路功率放大��
4. 高端�(cè)試測(cè)�?jī)x器中的信�(hào)�(fā)生器和功率放大組��
5. 其他需要高功率、高頻特性的射頻�(yīng)用場(chǎng)��
GTW2520-1R1K, GTW2520-1R2K