H26M52103FMR 是一款由東芝(Toshiba)生產(chǎn)的高壓 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動等場景。該芯片采用 N 溝道增強型技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,適用于各種工業(yè)和消費電子設(shè)備中的電源管理電路。
型號:H26M52103FMR
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-220FP
VDS(漏源極電壓):700V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):4.0Ω
ID(連續(xù)漏極電流):8.5A
柵極電荷:25nC
總功耗:35W
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
H26M52103FMR 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,VDS 可達 700V,適合高壓應(yīng)用場景。
2. 導(dǎo)通電阻低至 4.0Ω(典型值),可有效降低功率損耗。
3. 快速開關(guān)性能,有助于提高效率并減少電磁干擾。
4. 穩(wěn)定的工作溫度范圍,能夠在極端環(huán)境下保持可靠運行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
6. TO-220FP 封裝形式,便于散熱設(shè)計和安裝。
這款芯片的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,主要包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 直流電機驅(qū)動器的控制電路。
3. 逆變器和變頻器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換。
5. 家用電器如空調(diào)、冰箱等的壓縮機驅(qū)動。
6. LED 驅(qū)動器和其他需要高壓切換的場合。
H26M52103FMR-L, IRF840, STP70NF7