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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > H5AN8G6NCJR-VKC

H5AN8G6NCJR-VKC 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 13:35:36 查看 閱讀�38

H5AN8G6NCJR-VKC是由SK海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的一款DDR4 ECC Registered�(nèi)存模組芯�。該型號(hào)通常用于服務(wù)器、工作站以及其他�(duì)�(shù)�(jù)完整性要求較高的�(yīng)用中。其采用先�(jìn)的制程工藝制�,具有高帶寬、低功耗和高可靠性的特點(diǎn),支持ECC(Error Correction Code)功能以檢測(cè)并糾正單比特�(cuò)�,從而確保系�(tǒng)的穩(wěn)定性和�(shù)�(jù)的準(zhǔn)確��
  該芯片主要用作系�(tǒng)�(nèi)存的一部分,適合需要長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行且�(duì)�(cuò)誤容忍度極低的環(huán)�,例如金融交易系�(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備以及云�(jì)算平�(tái)��

參數(shù)

類型:DDR4 ECC Registered
  容量�8GB
  電壓�1.2V
  速度�2666MT/s
  封裝:FBGA
  工作溫度�0°C�85°C
  I/O電壓�1.2V
  �(shù)�(jù)寬度�72�
  引腳�(shù)�288
  存儲(chǔ)密度�8Gb

特�

H5AN8G6NCJR-VKC具備多種技�(shù)特�,使其非常適合高端計(jì)算和企業(yè)�(jí)�(yīng)用。首�,它支持ECC糾錯(cuò)功能,可自動(dòng)檢測(cè)并修�(fù)單比特內(nèi)存錯(cuò)�,極大降低數(shù)�(jù)損壞的風(fēng)�(xiǎn)。其�,作為Registered�(nèi)存,它通過(guò)寄存器減少了信號(hào)�(fù)�,允許在服務(wù)器主板上安裝更多�(nèi)存模塊而不影響�(wěn)定��
  此外,該芯片遵循JEDEC DDR4�(biāo)�(zhǔn),提供高�(dá)2666MT/s的數(shù)�(jù)傳輸速率,并兼容更低�1.2V工作電壓,相比前代產(chǎn)品顯著降低了能耗。它�72位數(shù)�(jù)寬度包含額外的ECC校驗(yàn)�,�(jìn)一步增�(qiáng)了數(shù)�(jù)保護(hù)能力�
  此芯片還�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,確保能夠在0°C�85°C的工�(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于各種惡劣�(huán)境下的高性能�(jì)算需��

�(yīng)�

H5AN8G6NCJR-VKC主要用于企業(yè)�(jí)和關(guān)鍵任�(wù)�(huán)境中,常�(jiàn)于以下領(lǐng)域:
  1. �(shù)�(jù)中心和云�(jì)算基�(chǔ)�(shè)�,為虛擬化環(huán)境提供可靠的�(nèi)存支��
  2. 高性能服務(wù)器和工作站,滿足�(fù)雜計(jì)算任�(wù)的需�,如�(shù)�(jù)�(kù)管理、科�(xué)模擬和圖形渲��
  3. �(yī)療成像設(shè)備和金融交易平臺(tái),這些�(chǎng)景要求絕�(duì)的數(shù)�(jù)�(zhǔn)確性和系統(tǒng)�(wěn)定��
  4. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng),需要在極端條件下持�(xù)�(yùn)行的解決方案�
  由于其出色的可靠性和糾錯(cuò)能力,H5AN8G6NCJR-VKC成為眾多品牌服務(wù)器制造商的首選內(nèi)存組��

替代型號(hào)

H5AN8G6NCGR-VKC
  H5AN8G6NBJR-VKC
  H5AN8G6NCJR-KPC

h5an8g6ncjr-vkc推薦供應(yīng)� 更多>

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