H5TC8G63AMR-PBA是SK海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的一款DDR3L SDRAM存儲芯片,主要用于筆記本電腦、超極本以及其他低功耗電子設備。該芯片具有低電壓運行特性(1.35V�,能夠在保證性能的同時降低功耗,非常適合對電池續(xù)航能力要求較高的移動設備�
這款芯片采用FBGA封裝形式,引腳數(shù)�78�,外形尺寸緊�,便于在空間受限的設備中使用。此�,其高密度存儲能力和�(wěn)定的�(shù)�(jù)傳輸速度使其成為許多嵌入式系�(tǒng)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
類型:DDR3L SDRAM
容量�8Gb (1GB)
組織方式:x8/x16
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600Mbps
封裝形式:FBGA 78-ball
工作溫度�-40°C ~ +85°C
I/O標準:LVSTL 1.2V
刷新模式:自動刷�/自刷�
H5TC8G63AMR-PBA采用了先進的制程工藝制造,具備以下顯著特點�
1. 低功耗設計:工作電壓僅為1.35V,相比傳�(tǒng)DDR3�1.5V進一步降低了能�,延長了移動設備的電池使用壽��
2. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支�1600Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代應用對高性能�(nèi)存的需求�
3. 緊湊封裝:FBGA 78球封裝形式使得該芯片非常適合用于小型化和輕量化的�(chǎn)品設��
4. 可靠性:�(jīng)過嚴格測試,確保在各種環(huán)境條件下都能提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
5. 兼容性強:符合JEDEC DDR3L�(guī)范,易于與其他硬件平臺集��
H5TC8G63AMR-PBA廣泛應用于以下領域:
1. 筆記本電腦和超極本:
作為主內(nèi)存,為處理器提供高速數(shù)�(jù)存取支持,提升整體系�(tǒng)性能�
2. 平板電腦和智能手機:
在移動設備中用作擴展�(nèi)存或緩存,優(yōu)化用戶體��
3. 嵌入式系�(tǒng)�
包括工業(yè)控制、醫(yī)療設備和�(wǎng)絡通信設備�,提供可靠的存儲解決方案�
4. 游戲機和其他消費類電子產(chǎn)品:
支持圖形密集型應�,如高清視頻播放和游戲渲染�
H5TC8G63AFR-PBA
H5TC8G63AMR-T2B
H5TC8G63AMR-K2C