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H5TQ2G63GFR-TEC 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 10:47:43 查看 閱讀：9

H5TQ2G63GFR-TEC 是一款由海力士（SK Hynix）生產(chǎn)的閃存芯片，屬于 3D NAND TLC 類型。該芯片采用先進(jìn)的制程技術(shù)，主要應(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)的場(chǎng)景，例如固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備以及移動(dòng)設(shè)備等。其設(shè)計(jì)注重高密度、低功耗和高性能，能夠滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求。
　　該型號(hào)具備 2TB 的存儲(chǔ)容量（原始容量），并支持高速接口以實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)傳輸。此外，它還通過(guò)內(nèi)置的 ECC（錯(cuò)誤校正碼）技術(shù)提升了數(shù)據(jù)可靠性。

參數(shù)

容量：2048GB
　　類型：3D NAND TLC
　　接口：Toggle DDR 4.0
　　VCC 電壓：1.8V
　　VPP 電壓：無(wú)（內(nèi)部生成）
　　封裝：BGA
　　工作溫度：-25°C 至 +85°C
　　I/O 電壓：1.8V
　　頁(yè)大�。�16KB
　　區(qū)塊大小：約 768MB
　　通道數(shù)：8

特性

H5TQ2G63GFR-TEC 提供了卓越的性能和可靠性，特別適合需要高密度存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。其主要特性包括：
　　1. 高密度存儲(chǔ)：采用先進(jìn)的 3D NAND 技術(shù)堆疊多層單元，從而在較小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)。
　　2. 低功耗設(shè)計(jì)：優(yōu)化了芯片的工作狀態(tài)，有效降低運(yùn)行時(shí)的能耗。
　　3. 高速接口支持：兼容 Toggle DDR 4.0 接口，提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。
　　4. 內(nèi)置 ECC 功能：增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。
　　5. 良好的耐用性：經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試流程，確保在各種環(huán)境下均能穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

H5TQ2G63GFR-TEC 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 固態(tài)硬盤（SSD）：作為主存儲(chǔ)介質(zhì)，為 SSD 提供大容量和高性能。
　　2. 嵌入式系統(tǒng)：用于工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端中，提供可靠的存儲(chǔ)解決方案。
　　3. 移動(dòng)設(shè)備：如平板電腦和智能手機(jī)，滿足用戶對(duì)高容量存儲(chǔ)的需求。
　　4. 數(shù)據(jù)中心：適用于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)陣列，保障關(guān)鍵數(shù)據(jù)的安全與高效訪問(wèn)。
　　5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：包括數(shù)碼相機(jī)、機(jī)頂盒等需要外部存儲(chǔ)擴(kuò)展的設(shè)備。

替代型號(hào)

H5TC4G63CMR-TFC, H5TC8G63CMR-TFC

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