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H5TQ2G63GFR-TEC 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 10:47:43 查看 閱讀:9

H5TQ2G63GFR-TEC 是一款由海力士(SK Hynix)生產(chǎn)的閃存芯片,屬于 3D NAND TLC 類型。該芯片采用先進(jìn)的制程技術(shù),主要應(yīng)用于需要大容量存儲(chǔ)的場(chǎng)景,例如固態(tài)硬盤(SSD)、嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備以及移動(dòng)設(shè)備等。其設(shè)計(jì)注重高密度、低功耗和高性能,能夠滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求。
  該型號(hào)具備 2TB 的存儲(chǔ)容量(原始容量),并支持高速接口以實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)傳輸。此外,它還通過(guò)內(nèi)置的 ECC(錯(cuò)誤校正碼)技術(shù)提升了數(shù)據(jù)可靠性。

參數(shù)

容量:2048GB
  類型:3D NAND TLC
  接口:Toggle DDR 4.0
  VCC 電壓:1.8V
  VPP 電壓:無(wú)(內(nèi)部生成)
  封裝:BGA
  工作溫度:-25°C 至 +85°C
  I/O 電壓:1.8V
  頁(yè)大�。�16KB
  區(qū)塊大小:約 768MB
  通道數(shù):8

特性

H5TQ2G63GFR-TEC 提供了卓越的性能和可靠性,特別適合需要高密度存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景。其主要特性包括:
  1. 高密度存儲(chǔ):采用先進(jìn)的 3D NAND 技術(shù)堆疊多層單元,從而在較小的體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)。
  2. 低功耗設(shè)計(jì):優(yōu)化了芯片的工作狀態(tài),有效降低運(yùn)行時(shí)的能耗。
  3. 高速接口支持:兼容 Toggle DDR 4.0 接口,提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。
  4. 內(nèi)置 ECC 功能:增強(qiáng)了數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。
  5. 良好的耐用性:經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試流程,確保在各種環(huán)境下均能穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

H5TQ2G63GFR-TEC 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為主存儲(chǔ)介質(zhì),為 SSD 提供大容量和高性能。
  2. 嵌入式系統(tǒng):用于工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端中,提供可靠的存儲(chǔ)解決方案。
  3. 移動(dòng)設(shè)備:如平板電腦和智能手機(jī),滿足用戶對(duì)高容量存儲(chǔ)的需求。
  4. 數(shù)據(jù)中心:適用于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)陣列,保障關(guān)鍵數(shù)據(jù)的安全與高效訪問(wèn)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括數(shù)碼相機(jī)、機(jī)頂盒等需要外部存儲(chǔ)擴(kuò)展的設(shè)備。

替代型號(hào)

H5TC4G63CMR-TFC, H5TC8G63CMR-TFC

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