H5TQ4G63CFR-TEC 是一款由海力士(SK Hynix)生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片,主要應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備以及工業(yè)存儲(chǔ)解決方案中。該芯片基于 TLC(Triple-Level Cell)技術(shù)設(shè)計(jì),能夠以每個(gè)存儲(chǔ)單元保存 3 位數(shù)據(jù)的方式實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度和更優(yōu)的性價(jià)比。其封裝形式為標(biāo)準(zhǔn)的 BGA(球柵陣列封裝),適合需要高容量和高性能的應(yīng)用場(chǎng)景。
該型號(hào)支持高速接口協(xié)議,并具備低功耗特性,非常適合對(duì)性能和能耗有較高要求的移動(dòng)設(shè)備及物聯(lián)網(wǎng)終端。
容量:256GB
存儲(chǔ)類型:TLC NAND Flash
接口:Toggle DDR 2.0
電壓:1.8V
工作溫度:-25°C 至 +85°C
封裝:BGA
引腳數(shù):169
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高400 MT/s
H5TQ4G63CFR-TEC 芯片具有以下顯著特性:
1. 高存儲(chǔ)密度:采用 TLC 技術(shù),單顆芯片即可提供高達(dá) 256GB 的存儲(chǔ)容量,適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用。
2. 快速數(shù)據(jù)傳輸:支持 Toggle DDR 2.0 接口,理論數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá) 400 MT/s,可滿足實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理需求。
3. 低功耗設(shè)計(jì):通過優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)和制程工藝,有效降低運(yùn)行時(shí)的功耗,延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。
4. 廣泛的工作溫度范圍:支持從 -25°C 到 +85°C 的寬溫操作,確保在各種環(huán)境條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 可靠性增強(qiáng):內(nèi)置 ECC(錯(cuò)誤校正碼)功能,提升數(shù)據(jù)完整性和可靠性,同時(shí)延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。
H5TQ4G63CFR-TEC 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 智能手機(jī)和平板電腦:提供大容量?jī)?nèi)部存儲(chǔ),滿足用戶對(duì)多媒體文件存儲(chǔ)的需求。
2. 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲(chǔ)介質(zhì),用于構(gòu)建高性能、低延遲的固態(tài)存儲(chǔ)解決方案。
3. 工業(yè)控制設(shè)備:在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中,用于存儲(chǔ)程序代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備:如路由器和交換機(jī)中的固件存儲(chǔ)和日志記錄。
5. 物聯(lián)網(wǎng)終端:為智能硬件提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。
H5TC4G63CMR-KCE, H5PC4G63CJR-KCE, H5PQ4G63CMR-TCC