H5TQ4G63CFR-TEC 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)類電子設(shè)備以及工�(yè)存儲(chǔ)解決方案�。該芯片基于 TLC(Triple-Level Cell)技�(shù)�(shè)�(jì),能夠以每�(gè)存儲(chǔ)單元保存 3 位數(shù)�(jù)的方式實(shí)�(xiàn)更高的存�(chǔ)密度和更�(yōu)的性價(jià)比。其封裝形式為標(biāo)�(zhǔn)� BGA(球柵陣列封裝),適合需要高容量和高性能的應(yīng)用場(chǎng)景�
該型�(hào)支持高速接口協(xié)�,并具備低功耗特�,非常適合對(duì)性能和能耗有較高要求的移�(dòng)�(shè)備及物聯(lián)�(wǎng)終端�
容量�256GB
存儲(chǔ)類型:TLC NAND Flash
接口:Toggle DDR 2.0
電壓�1.8V
工作溫度�-25°C � +85°C
封裝:BGA
引腳�(shù)�169
�(shù)�(jù)傳輸速率:最�400 MT/s
H5TQ4G63CFR-TEC 芯片具有以下顯著特性:
1. 高存�(chǔ)密度:采� TLC 技�(shù),單顆芯片即可提供高�(dá) 256GB 的存�(chǔ)容量,適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)��
2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,理論數(shù)�(jù)傳輸速率可達(dá) 400 MT/s,可滿足�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理需��
3. 低功耗設(shè)�(jì):通過�(yōu)化電路結(jié)�(gòu)和制程工�,有效降低運(yùn)行時(shí)的功�,延�(zhǎng)電池供電�(shè)備的工作�(shí)��
4. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -25°C � +85°C 的寬溫操�,確保在各種�(huán)境條件下都能�(wěn)定運(yùn)行�
5. 可靠性增�(qiáng):內(nèi)� ECC(錯(cuò)誤校正碼)功�,提升數(shù)�(jù)完整性和可靠性,同時(shí)延長(zhǎng)�(chǎn)品壽��
H5TQ4G63CFR-TEC 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 智能手機(jī)和平板電腦:提供大容�?jī)?nèi)部存�(chǔ),滿足用戶對(duì)多媒體文件存�(chǔ)的需��
2. 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲(chǔ)介質(zhì),用于構(gòu)建高性能、低延遲的固�(tài)存儲(chǔ)解決方案�
3. 工業(yè)控制�(shè)備:在工�(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中,用于存�(chǔ)程序代碼和關(guān)鍵數(shù)�(jù)�
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:如路由器和交換機(jī)中的固件存儲(chǔ)和日志記��
5. 物聯(lián)�(wǎng)終端:為智能硬件提供可靠的非易失性存�(chǔ)支持�
H5TC4G63CMR-KCE, H5PC4G63CJR-KCE, H5PQ4G63CMR-TCC