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H5TQ4G63CFR-TEC 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/10 8:54:29 查看 閱讀：27

H5TQ4G63CFR-TEC 是一款由海力士（SK Hynix）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片，主要應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、消費(fèi)類電子設(shè)備以及工業(yè)存儲(chǔ)解決方案中。該芯片基于 TLC（Triple-Level Cell）技術(shù)設(shè)計(jì)，能夠以每個(gè)存儲(chǔ)單元保存 3 位數(shù)據(jù)的方式實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度和更優(yōu)的性價(jià)比。其封裝形式為標(biāo)準(zhǔn)的 BGA（球柵陣列封裝），適合需要高容量和高性能的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該型號(hào)支持高速接口協(xié)議，并具備低功耗特性，非常適合對(duì)性能和能耗有較高要求的移動(dòng)設(shè)備及物聯(lián)網(wǎng)終端。

參數(shù)

容量：256GB
　　存儲(chǔ)類型：TLC NAND Flash
　　接口：Toggle DDR 2.0
　　電壓：1.8V
　　工作溫度：-25°C 至 +85°C
　　封裝：BGA
　　引腳數(shù)：169
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：最高400 MT/s

特性

H5TQ4G63CFR-TEC 芯片具有以下顯著特性：
　　1. 高存儲(chǔ)密度：采用 TLC 技術(shù)，單顆芯片即可提供高達(dá) 256GB 的存儲(chǔ)容量，適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用。
　　2. 快速數(shù)據(jù)傳輸：支持 Toggle DDR 2.0 接口，理論數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá) 400 MT/s，可滿足實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理需求。
　　3. 低功耗設(shè)計(jì)：通過優(yōu)化電路結(jié)構(gòu)和制程工藝，有效降低運(yùn)行時(shí)的功耗，延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。
　　4. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -25°C 到 +85°C 的寬溫操作，確保在各種環(huán)境條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 可靠性增強(qiáng)：內(nèi)置 ECC（錯(cuò)誤校正碼）功能，提升數(shù)據(jù)完整性和可靠性，同時(shí)延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命。

應(yīng)用

H5TQ4G63CFR-TEC 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 智能手機(jī)和平板電腦：提供大容量?jī)?nèi)部存儲(chǔ)，滿足用戶對(duì)多媒體文件存儲(chǔ)的需求。
　　2. 固態(tài)硬盤（SSD）：作為核心存儲(chǔ)介質(zhì)，用于構(gòu)建高性能、低延遲的固態(tài)存儲(chǔ)解決方案。
　　3. 工業(yè)控制設(shè)備：在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中，用于存儲(chǔ)程序代碼和關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
　　4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備：如路由器和交換機(jī)中的固件存儲(chǔ)和日志記錄。
　　5. 物聯(lián)網(wǎng)終端：為智能硬件提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。

替代型號(hào)

H5TC4G63CMR-KCE, H5PC4G63CJR-KCE, H5PQ4G63CMR-TCC

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