H5TQ4G63EFR-RDI 是一款由海力士(SK Hynix)生產的 NAND 閃存芯片,采� Toggle DDR 2.0 接口技�。該芯片具有高可靠性和高性能,廣泛應用于消費電子、工�(yè)設備和嵌入式系統(tǒng)等領域。其主要功能是提供大容量的非易失性存�,適用于需要頻繁讀寫操作的應用場景�
容量�32GB
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
封裝形式:BGA
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
頁大?�?6KB
區(qū)塊大?�?048�
ECC要求:≤72 bits/1KByte
H5TQ4G63EFR-RDI 具有以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,數(shù)�(jù)傳輸速率高達 400MT/s�
2. 大容量存儲:單顆芯片即可提供 32GB 的存儲空�,適合高密度存儲需��
3. 可靠性高:具備強大的錯誤校正能力(ECC�,能夠有效提升數(shù)�(jù)完整��
4. 耐用性強:采用先進的制造工�,支持多次擦寫周�,延長使用壽��
5. 低功耗設計:工作電壓� 1.8V,有助于降低整體系統(tǒng)能��
H5TQ4G63EFR-RDI 主要用于以下領域�
1. 消費電子產品:如智能手機、平板電�、智能電視等�
2. 存儲設備:例如固�(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存盤和記憶��
3. 工業(yè)與醫(yī)療設備:如數(shù)�(jù)記錄儀、醫(yī)療影像設備等�
4. 嵌入式系�(tǒng):適用于需要高效存儲的嵌入式計算平臺�
5. 網絡通信設備:路由器、交換機等需要穩(wěn)定存儲的網絡硬件�
H5TC4G63AFR-KPI,H5TC4G63AFFR-PPI