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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > H5TQ4G63EFR-RDI

H5TQ4G63EFR-RDI 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 21:04:38 查看 閱讀�23

H5TQ4G63EFR-RDI 是一款由海力士(SK Hynix)生產的 NAND 閃存芯片,采� Toggle DDR 2.0 接口技�。該芯片具有高可靠性和高性能,廣泛應用于消費電子、工�(yè)設備和嵌入式系統(tǒng)等領域。其主要功能是提供大容量的非易失性存�,適用于需要頻繁讀寫操作的應用場景�

參數(shù)

容量�32GB
  接口類型:Toggle DDR 2.0
  工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
  �(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
  封裝形式:BGA
  工作溫度范圍�-25°C � +85°C
  頁大?�?6KB
  區(qū)塊大?�?048�
  ECC要求:≤72 bits/1KByte

特�

H5TQ4G63EFR-RDI 具有以下顯著特性:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,數(shù)�(jù)傳輸速率高達 400MT/s�
  2. 大容量存儲:單顆芯片即可提供 32GB 的存儲空�,適合高密度存儲需��
  3. 可靠性高:具備強大的錯誤校正能力(ECC�,能夠有效提升數(shù)�(jù)完整��
  4. 耐用性強:采用先進的制造工�,支持多次擦寫周�,延長使用壽��
  5. 低功耗設計:工作電壓� 1.8V,有助于降低整體系統(tǒng)能��

應用

H5TQ4G63EFR-RDI 主要用于以下領域�
  1. 消費電子產品:如智能手機、平板電�、智能電視等�
  2. 存儲設備:例如固�(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存盤和記憶��
  3. 工業(yè)與醫(yī)療設備:如數(shù)�(jù)記錄儀、醫(yī)療影像設備等�
  4. 嵌入式系�(tǒng):適用于需要高效存儲的嵌入式計算平臺�
  5. 網絡通信設備:路由器、交換機等需要穩(wěn)定存儲的網絡硬件�

替代型號

H5TC4G63AFR-KPI,H5TC4G63AFFR-PPI

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