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H5VU25UE 發(fā)布時間 時間�2025/3/17 15:51:55 查看 閱讀�112

H5VU25UE 是一款由 SK Hynix 生產(chǎn)的大容量 NAND 閃存芯片,廣泛應用于存儲設備�。該芯片采用先進的制程工藝制�,具備高密度、高性能和低功耗的特點。它通常用于固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲以及消費類電子產(chǎn)品的�(shù)�(jù)存儲解決方案�
  H5VU25UE 的主要特點是其采用了 TLC(Triple-Level Cell)技�,每個存儲單元可以存� 3 位數(shù)�(jù),從而在相同的物理空間內(nèi)實現(xiàn)更高的存儲密�。此外,該芯片支持高速接口協(xié)�,例� Toggle Mode 2.0 � ONFI 4.0,能夠滿足現(xiàn)代存儲設備對速度和可靠性的要求�

參數(shù)

容量�256GB
  接口類型:Toggle Mode 2.0 / ONFI 4.0
  存儲技術:TLC NAND
  封裝形式:BGA
  工作電壓�1.8V
  讀取速度:最高可� 500 MB/s
  寫入速度:最高可� 200 MB/s
  擦寫壽命:約 1000 �

特�

H5VU25UE 芯片具有以下顯著特性:
  1. 高存儲密度:通過 TLC 技術實�(xiàn)了每顆芯片高� 256GB 的存儲容�,非常適合需要大容量存儲的應用場景�
  2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支持最新的 NAND 接口�(xié)議(� Toggle Mode 2.0 � ONFI 4.0�,確保了高效的數(shù)�(jù)讀寫能��
  3. 低功耗設計:�(yōu)化的電路設計使其能夠在保持高性能的同時降低能�,延長電池供電設備的�(xù)航時間�
  4. 可靠性與耐用性:盡管 TLC 技術的擦寫壽命相對較低,但通過先進的磨損均衡算法� ECC(錯誤校正碼)技術,進一步提升了�(shù)�(jù)的完整性和可靠��
  5. 小型化封裝:采用 BGA 封裝方式,使得芯片體積更�,適合緊湊型設計需求�

應用

1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存儲組�,提供大容量和高性能的數(shù)�(jù)存儲功能�
  2. 嵌入式存儲:適用于智能手�、平板電腦和其他便攜式電子設備中� eMMC � UFS 存儲模塊�
  3. 工業(yè)級存儲設備:可用于工�(yè)計算�、監(jiān)控系�(tǒng)等需要穩(wěn)定存儲性能的場��
  4. 消費電子�(chǎn)品:包括�(shù)碼相�、游戲機等需要快速數(shù)�(jù)處理和存儲的設備�
  5. 備份與存儲解決方案:� USB 閃存盤、存儲卡等外部存儲介�(zhì)�

替代型號

1. H5TC25T2MFR: 同樣� 256GB 容量,采� MLC 技�,擦寫壽命更�,但成本也相對較��
  2. KBG30ZMV256G-T50A: 一款來� Kingston � TLC NAND 芯片,容量相�,適用于 SSD 解決方案�
  3. TH58LJT0T24BAIR: Toshiba 生產(chǎn)� TLC NAND 芯片,容量為 256GB,支持類似的接口標準�
  4. MX30UF256AC: Micron � TLC NAND �(chǎn)品,容量一�,性能表現(xiàn)�(yōu)��
  選擇替代型號時需考慮兼容性、接口協(xié)議及目標應用的具體要��

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