H9DA4GH2GJAMCR-4EM 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要用于存�(chǔ)�(shù)�(jù)。該芯片采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制造,具有高密�、低功耗和高性能的特�(diǎn),適用于各種嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備以及工�(yè)�(yīng)�。這款芯片支持�(biāo)�(zhǔn)� NAND 接口�(xié)�,便于與主控芯片�(jìn)行數(shù)�(jù)交互�
該型�(hào)中的具體參數(shù)可以通過(guò)名稱(chēng)解析得到部分信息:H9 表示 SK 海力士的�(chǎn)品系�,DA 表示封裝�(lèi)型為 BGA 封裝�4G 表示其容量為 4GB 或者等效的存儲(chǔ)空間,后�(xù)字符則定義了電壓范圍、工作溫�、性能等級(jí)等細(xì)節(jié)�
容量�4GB
接口:NAND Flash �(biāo)�(zhǔn)接口
封裝形式:BGA
工作電壓�1.8V � 3.3V(依具體�(yīng)用場(chǎng)景而定�
�(shù)�(jù)傳輸速率:高�(dá) 50MB/s
擦寫(xiě)壽命:約 3,000 次(基于 MLC 技�(shù)�
工作溫度�-25°C � +85°C
存儲(chǔ)溫度�-40°C � +105°C
H9DA4GH2GJAMCR-4EM 使用多層單元(MLC)技�(shù),提供更高的存儲(chǔ)密度和成本效�。同�(shí),該芯片�(nèi)� ECC(錯(cuò)誤校�(yàn)與糾正)功能,以確保�(shù)�(jù)完整性,并且支持塊管�、壞塊管理等功能,從而優(yōu)化存�(chǔ)性能和可靠��
此外,該芯片具備低功耗設(shè)�(jì),在待機(jī)模式下電流消耗極�,非常適合電池供電設(shè)備或?qū)δ苄б筝^高的�(chǎng)��
其緊湊的 BGA 封裝形式使其能夠輕松集成到小型化�(shè)�(jì)中,�(jìn)一步滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間利用率的需��
H9DA4GH2GJAMCR-4EM 廣泛�(yīng)用于各類(lèi)需要非易失性存�(chǔ)器的�(chǎng)�,例如固�(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB 存儲(chǔ)�(shè)�、內(nèi)存卡、工�(yè)控制模塊、汽�(chē)電子系統(tǒng)、智能家居設(shè)備以及可穿戴�(shè)備等。由于其出色的可靠性和�(wěn)定�,該芯片也常被用作嵌入式系統(tǒng)的內(nèi)部存�(chǔ)解決方案�
H9TP4GG8GMAXMR-CEM, H9TQ4GG8GMKGR-CEM