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H9HKNNNEBMAVAR-NEH 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 9:01:58 查看 閱讀：25

H9HKNNNEBMAVAR-NEH 是一款由 SK 海力士（SK Hynix）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片。該型號(hào)采用先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù)，具有高密度、低功耗和快速數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶攸c(diǎn)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)中。其主要用途包括固態(tài)硬盤（SSD）、U 盤、存儲(chǔ)卡以及其他需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量：512GB
　　接口類型：Toggle DDR 3.0
　　工作電壓：1.8V
　　封裝形式：eMCP (Enhanced Multi Chip Package)
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：400MT/s
　　擦寫次數(shù)：3000 次（典型值）
　　工作溫度范圍：-25°C 至 +85°C
　　待機(jī)功耗：低于 100uA

特性

H9HKNNNEBMAVAR-NEH 芯片采用了 3D TLC NAND 技術(shù)，具備更高的存儲(chǔ)密度和更長(zhǎng)的使用壽命。相比傳統(tǒng)平面 NAND，3D TLC 技術(shù)通過(guò)堆疊多層存儲(chǔ)單元顯著提升了存儲(chǔ)容量。此外，該芯片支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議，提供高達(dá) 400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，確保高效的性能表現(xiàn)。
　　在可靠性方面，這款芯片經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，其超低功耗設(shè)計(jì)使得它非常適合對(duì)電池續(xù)航有要求的移動(dòng)設(shè)備。
　　此外，該芯片還支持多種高級(jí)功能，例如 ECC（錯(cuò)誤校正碼）和磨損均衡（Wear Leveling），從而進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)完整性和延長(zhǎng)使用壽命。

應(yīng)用

H9HKNNNEBMAVAR-NEH 主要用于以下領(lǐng)域：
　　1. 固態(tài)硬盤（SSD）
　　2. USB 閃存盤（U 盤）
　　3. microSD 和 SD 存儲(chǔ)卡
　　4. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的內(nèi)部存儲(chǔ)
　　5. 工業(yè)級(jí)嵌入式系統(tǒng)和 IoT 設(shè)備中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案
　　6. 車載娛樂(lè)系統(tǒng)及導(dǎo)航設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊

替代型號(hào)

H9HPNNNGCMAVAR-KEM
　　H9HNNNNCBMAVRR-EUC
　　H9HCNNNFAMAVR-KGM

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