H9HKNNNEBMAVAR-NEH 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片。該型號(hào)采用先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù),具有高密度、低功耗和快速數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶攸c(diǎn),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)中。其主要用途包括固態(tài)硬盤(SSD)、U 盤、存儲(chǔ)卡以及其他需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景。
存儲(chǔ)容量:512GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
工作電壓:1.8V
封裝形式:eMCP (Enhanced Multi Chip Package)
數(shù)據(jù)傳輸速率:400MT/s
擦寫次數(shù):3000 次(典型值)
工作溫度范圍:-25°C 至 +85°C
待機(jī)功耗:低于 100uA
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 芯片采用了 3D TLC NAND 技術(shù),具備更高的存儲(chǔ)密度和更長(zhǎng)的使用壽命。相比傳統(tǒng)平面 NAND,3D TLC 技術(shù)通過(guò)堆疊多層存儲(chǔ)單元顯著提升了存儲(chǔ)容量。此外,該芯片支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議,提供高達(dá) 400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,確保高效的性能表現(xiàn)。
在可靠性方面,這款芯片經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,能夠在極端溫度條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí),其超低功耗設(shè)計(jì)使得它非常適合對(duì)電池續(xù)航有要求的移動(dòng)設(shè)備。
此外,該芯片還支持多種高級(jí)功能,例如 ECC(錯(cuò)誤校正碼)和磨損均衡(Wear Leveling),從而進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)完整性和延長(zhǎng)使用壽命。
H9HKNNNEBMAVAR-NEH 主要用于以下領(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD)
2. USB 閃存盤(U 盤)
3. microSD 和 SD 存儲(chǔ)卡
4. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的內(nèi)部存儲(chǔ)
5. 工業(yè)級(jí)嵌入式系統(tǒng)和 IoT 設(shè)備中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案
6. 車載娛樂(lè)系統(tǒng)及導(dǎo)航設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊
H9HPNNNGCMAVAR-KEM
H9HNNNNCBMAVRR-EUC
H9HCNNNFAMAVR-KGM