H9TKNNN8JDAPLR-NGH 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要應(yīng)用于嵌入式存儲設(shè)�、固�(tài)硬盤(SSD�、UFS 存儲模塊以及消費類電子產(chǎn)品的存儲解決方案�。該芯片采用了先進的 TLC(Triple-Level Cell)技�(shù),能夠以較低的成本提供大容量的存儲空�,同時保持較高的讀寫性能和可靠��
這款芯片的設(shè)計注重在移動�(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)(IoT)領(lǐng)域中的應(yīng)用,適合需要高密度存儲但對成本敏感的應(yīng)用場��
容量�512GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
I/O 引腳�(shù)�78
擦寫壽命:約 1000 �
�(shù)�(jù)保留時間:最� 1 年(� 25°C 下)
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
傳輸速率:最高可� 800MT/s
H9TKNNN8JDAPLR-NGH 芯片采用 TLC 架構(gòu),提供了出色的性價�。其 Toggle DDR 3.0 接口使得�(shù)�(jù)傳輸速率大幅提升,適用于高速存儲需求的場景�
此外,該芯片具有以下特點�
1. 高密度存儲能力,單顆芯片即可提供高達 512GB 的存儲空��
2. 低功耗設(shè)�,非常適合電池供電的便攜式設(shè)��
3. �(wěn)定性高,在各種�(huán)境條件下均能保持可靠運行�
4. 支持多種 ECC 校正方案,有效提高數(shù)�(jù)完整性�
5. 符合 JEDEC 標準,便于與�(xiàn)有系�(tǒng)兼容�
H9TKNNN8JDAPLR-NGH 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動�(shè)備:智能手機、平板電腦等需要大容量存儲的設(shè)��
2. 固態(tài)硬盤:用于消費級和企�(yè)� SSD 中的存儲介質(zhì)�
3. 嵌入式系�(tǒng):工�(yè)控制、車載電子、醫(yī)療設(shè)備等需要穩(wěn)定存儲的場合�
4. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備:智能家居、可穿戴�(shè)備等需要高效能存儲的終端產(chǎn)��
5. �(shù)字多媒體�(shè)備:如數(shù)字電�、機頂盒等需要存儲大量媒體內(nèi)容的�(shè)��
H9HCNNN8JMAPLR-KGH, H9HPNNN8JDGMLR-KGH